Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
2.9. ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬРазвитие микросхемотехники изменяет подход к проектированию полупроводниковых усилительных устройств. Раньше при создании усилителей на дискретных компонентах разработчики стремились найти наиболее простое решение устройств, в первую очередь стремились уменьшить число активных компонентов схемы (диодов, транзисторов); такой подход обеспечивал снижение стоимости аппаратуры и ее высокую надежность. Ныне при разработке аппаратуры на ИМС разработчик стремится использовать готовые ИМС массового выпуска; именно такие ИМС обладают наименьшей стоимостью, их схемные решения тщательно проработаны и обеспечивают высокие показатели работы аппаратуры. Поэтому предприятия, выпускающие ИМС, стремятся к выпуску наиболее универсальных узлов, которые применялись бы в самых разнообразных устройствах, это обеспечивает увеличение выпуска данного типа ИМС и снижение их стоимости. Поэтому ИМС создаются не на основе наиболее простого решения, а наиболее совершенного, обладающего универсальными достоинствами. Применение таких ИМС оправдано и в тех случаях, если ряд их параметров в конкретном устройстве будет недоиспользован. Наиболее распространенной усилительной ИМС является операционный усилитель (ОУ), в котором сосредоточены основные достоинства усилительных схем. Идеальный операционный усилитель имеет чрезвычайно высокий коэффициент усиления по напряжению На рис. 2.16, а приведено обозначение ОУ на схемах. На рис. В качестве второго каскада часто используется ДК с несимметричным выходом (например, схема рис.
Рис. 2.16. Схемное обозначение (а) и упрошенная структурная схема ОУ (б) Современные ОУ используют схемы каскадов, которые гораздо сложнее рассмотренных, дополнительные элементы обеспечивают повышение входного сопротивления, дополнительную стабилизацию режима покоя, повышение коэффициента усиления и т. д. Схемы ОУ могут насчитывать несколько десятков транзисторов. Свойства реальных ОУ в большей или меньшей степени приближаются к свойствам идеального ОУ. Система параметров, приводимая в справочниках, позволяет оценить эти свойства и определить режимы, в которых может использоваться ИМС. В табл. 2.2 приведены параметры некоторых ОУ. Таблица 2.2. Параметры операционных усилителей
ЭДС питания Обобщенная схема замещения ОУ по переменной состав ляющей соответствует рис.
Рис. 2.17. Передаточная характеристика ОУ
Рис. 2.18. Неинвертирующий ОУ с ООС (а) и его передаточная характеристика (б) Изображение источников питания
|
1 |
Оглавление
|