Главная > Схемотехника > Теоретические основы электротехники
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

§ 15.34. Графический расчет схем на транзисторах.

Схемы на транзисторах при относительно низких частотах на практике иногда рассчитывают не с помощью рассмотренных схем замещения, при использовании которых необходимо знать а путем непосредственного применения семейства характеристик транзистора. Этот способ расчета показан на примере 153.

Пример 153. Определить коэффициенты усиления потоку, напряжению и мощности схемы (рис. 15.24, а), предназначенной для усиления слабых синусоидальных колебаний.

Входные характеристики использованного в схеме транзистора изображены на рис. 15.24, б, выходные — на рис. 15.24, в. Параметром на рис. 15.24, в является ток . Сопротивление нагрузки . ЭДС смещения в выходной цепи . ЭДС смещения в цепи управления .

Рис. 15.24

Решение. На рис. 15.24, в проводим прямую, представляющую собой ВАХ нагрузки . Эта прямая пройдет через точку и через точку

Семейство входных характеристик транзистора как это видно из рис. 15.24, б, обладает той особенностью, что в интервале значений зависимость тока базы от напряжения между эмиттером и базой изображается одной и той же кривой. Найдем значение тока в режиме, когда на входе действует только ЭДС .

Из рис. 15.24, б следует, что при ток (точка ). Далее найдем ток и напряжение в этом режиме.

На семействе кривых рис. 15.24, в режим работы при определяется точкой , полученной в результате пересечения ВАХ нагрузки с той кривой семейства для которой параметром является .

В точке . Линеаризуем входную характеристику в рабочей точке. С этой целью проведем в окрестности точки (рис. 15.24, б) прямую так, чтобы она на возможно большем участке совпала с касательной к кривой в точке . Крайними точками проведенной прямой будем считать точки . В точке ток и . В точке ток и . Этим точкам соответствуют одноименные точки ритна рис. 15.24, в.

В точке (рис. 15.24, в) , в точке . Таким образом, при подаче на вход схемы синусоидального напряжения амплитудой в цепи управления появится синусоидальная составляющая тока, имеющая амплитуду , а в выходной цепи кроме постоянного тока возникает синусоидальный ток амплитудой При этом на выходных зажимах транзистора действует синусоидальная составляющая напряжения, имеющая амплитуду

Тогда коэффициент усиления потоку

Коэффициент усиления по напряжению

Коэффициент усиления по мощности

Входное сопротивление транзистора между зажимами эмиттер — база для синусоидальной составляющей

Выходное сопротивление между зажимами эмиттер — коллектор для синусоидальной составляющей

В тепловом отношении транзистор работает в ненапряженных условиях, так как мощность, выделяемая в нем в режиме, соответствующем точке (рис. 15.24, б),

что значительно меньше допустимой для данного транзистора мощности рассеяния 150 мВт.

Рис. 15.25

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление