Главная > Схемотехника > Теоретические основы электротехники
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

§ 17.3. Исследование устойчивости состояния равновесия в системах с постоянной вынуждающей силой.

Когда рабочая точка по постоянному току окажется на падающем участке ВАХ, то состояние равновесия в системе при определенных условиях может оказаться неустойчивым.

В этом случае применяется известный способ: при исследовании устойчивости нелинейный резистор заменяют расчетной схемой — схемой замещения.

Рис. 17.2

Она должна учитывать свойства HP как при медленных (при ), так и при быстрых (при ) малых приращениях тока и напряжения на HP.

Свойства HP при определяются самой ВАХ HP, снятой при постоянном токе, на падающем участке которой дифференциальное сопротивление

Если к HP подвести некоторое постоянное напряжение или через него пропустить некоторый постоянный ток такого значения, чтобы рабочая точка находилась на падающем участке ВАХ, и затем воздействовать на HP синусоидальным напряжением или током малой амплитуды, то сопротивление оказываемое HP синусоидальной составляющей малой амплитуды, будет представлять собой комплексное число. Опыт показывает, что при достаточно большой со действительная часть этого сопротивления оказывается положительной, т. е. . Объясняется это тем, что физические процессы в самом HP являются процессами инерционными, причем инерционность (сдвиг фаз) сильнее проявляется с ростом частоты.

В одних HP инерционность вызвана тепловыми процессами, в других — процессами накопления энергии в электрическом и (или) магнитном полях, в третьих — процессами ионизации и деионизации (которые также протекают не мгновенно), в четвертых — инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов.

Таким образом, схема замещения HP, когда точка равновесия находится на падающем участке характеристики, по отношению к малым приращениям должна быть такой, чтобы при а при

На рис. 17.2, а изображена одна из возможных схем замещения для HP с S-образной ВАХ (рис. 17.2, б), удовлетворяющая перечисленным условиям. В этой схеме — некоторая малая индуктивность, которую часто называют «паразитной», — некоторое добавочное активное сопротивление.

На рис. 17.2, в изображена одна из возможных схем замещения для HP с N-образной ВАХ (рис. 17.2, г), где — некоторая малая емкость, называемая часто «паразитной», и — некоторое добавочное активное сопротивление.

Параметры а также зависят от физических процессов в HP и изменяются при переходе из одной точки на падающем участке ВАХ в другую.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление