Главная > Схемотехника > Общая электротехника с основами электроники
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

17-5. Меднозакисные и селеновые диоды

Меднозакисный вентиль (рис. 17-11) состоит из медного диска 1, на который наносится слой закиси меди 2. К последнему прилегает для получения хорошего контакта свинцовый диск 3, а за ним расположен тонкий большего диаметра латунный диск 4 — радиаторный, предназначенный для отвода тепла.

Рис. 17-11. Устройство меднозакисного вентиля.

Рис. 17-12. Вольт-амперная характеристика меднозакисного вентиля.

Слой закиси меди получается при термической обработке меди и в атмосфере кислорода. Наружный слой закиси меди 2, полученный при избытке кислорода, обладает -проводимостью. Слой закиси прилегающий к медной шайбе, полученный при недостатке кислорода, обладает -проводимостью. Между двумя слоями закиси меди возникает -переход.

Допустимое напряжение на вентиле не более 10 В, так как при обратном напряжении 20—30 В он пробивается. Для выпрямления при больших напряжениях несколько вентилей монтируются на болте, образуя столбик выпрямителя.

Для улучшения охлаждения устанавливаются радиаторные шайбы с тем, чтобы температура не поднималась выше +60°, так как иначе прибор может потерять вентильные свойства. Меднозакисные вентили допускают плотность тока 0,1 А/см2. Вольт-амперная характеристика вентиля дана на рис. 17-12.

Селеновый вентиль (рис. 17-13) состоит из алюминиевого или стального диска 1, покрытого с одной стороны полупроводящим слоем кристаллического селена 2, обладающего дырочной проводимостью, который служит одним электродом.

Рис. 17-13. Селеновый вентиль.

Рис. 17-14. Столбик селенового вентиля.

Рис. 17-15. Вольт-амперная характеристика селенового вентиля.

Другим электродом 2 служит нанесенный на селен слой сплава кадмия и олова, при диффузии из которого атомов кадмия в селен и образуется слой, обладающий электронной проводимостью. Таким образом, запирающий слой 3 образуется между кристаллическим селеном и селеном с примесью кадмия. К электроду 2 прилегает пружинящая шайба 4.

Допустимое напряжение на селеновый вентиль составляет 20—40 В, при обратном напряжении 60—80 В вентиль пробивается. Рабочая температура не должна превышать +75°, плотность тока 0,1-0,2. На рис. 17-14 показан столбик селенового вентиля, на рис. 17-15 — вольт-амперная характеристика одного вентиля.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление