Дело в том, Что эти приборы имеют толстую базу, падение потенциала на которой приводит к весьма сложной связи между плотностью прямого тока через диод и падением напряжения 
на нем [1.6]. Нам достаточно отметить следующее.
Самой распространенной практической аппроксимацией ВАХ диода в прямом направлении является линейная аппроксимация [1.6]
где 
— пороговое напряжение диода; 
— дифференциальное прямое сопротивленце диода. Смысл этих названий будет разъяснен в гл. 2.
В работе [1.7] предложена степенная аппроксимация ВАХ, которая в некоторых случаях может оказаться более близкой к экспериментальным данным:
где К и 
- константы. Значения N в случае использования аппроксимации (1.5) лежат в диапазоне 
. На рис. 1.6 приведены реальная ВАХ тиристора типа 
и ее линейная и степенная аппроксимации.
С ростом температуры прямое падение напряжения, как правило, увеличивается. Эту зависимость обычно получают из эксперимента, так как корректная теоретическая модель температурной зависимости прямого падения напряжения в настоящее время отсутствует.
Важным для понимания работы диода является то, что при больших плотностях тока в его слоях происходит накопление подвижных носителей заряда. Явление накопления заряда, как показано далее, существенно влияет на процесс выключения силового диода, при этом основное влияние на характеристики диода оказывает накопленный в 
-базе заряд дырок: 
. Это обусловлено относительно большей инжекцией из более сильнолегированного 
-слоя, меньшей подвижностью дырок по сравнению с электронами, большей толщиной 
-слоя и большим временем жизни дырок в нем.
Накопленный заряд Q зависит от прямого тока через диод и в стационарных условиях остается постоянным, так как процесс инжекции неосновных носителей заряда уравновешивается процессом их рекомбинации.
перехода (дырок — в 
-области и электронов — в 
-области) экспоненциально возрастает. Это явление называют инжекцией неосновных носителей заряда. Инжектированные носители начинают диффундировать в глубь полупроводника — возникает ток через диод. Однако у высоковольтных силовых диодов связь тока с напряжением не описывается соотношением (1.1).
