Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
13.02. Высокочастотные усилители: модели для переменного токаЕмкость нагрузки не только уменьшает коэффициент усиления усилителя на высоких частотах. Как мы упоминали выше (см. обсуждение эффекта Миллера в гл. 2), емкость обратной связи
Рис. 13.2. Эквивалентные схемы для ВЧ биполярного (а) и полевого (6) транзисторов. Эквивалентная схема для переменного тока.Приведенные на рис. 13.2 эквивалентные схемы каскадов с общим эмиттером (или истоком) представляют собой простейший вариант; их не без оснований используют при оценке характеристик быстродействующих устройств. Обе модели очевидны. В схеме биполярного транзистора Свхэ (обозначается также![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Влияние коллекторного тока и напряжения на емкости транзистора.Емкости обратной связи и выходной цепи (![]()
Рис. 13.3. Зависимость емкости коллектор - база от напряжения для нескольких распространенных биполярных транзисторов. Последние ведут себя подобно обратносмещенным диодам, у которых емкость постепенно снижается с увеличением обратного смещения, как показано на рис. 13.3 (этот эффект используется в конденсаторах, управляемых напряжением, известных под названием «варикапы», или «варакторы»). Емкость изменяется с напряжением приблизительно как
Рис. 13.4. Зависимость произведеиия усиления на ширину полосы (граничную частоту) Входная емкость Свхэ имеет другой характер, поскольку вы имеете дело с прямосмещенным переходом. В этом случае эффективная емкость резко растет с увеличением тока базы, так как U близко Поэтому вместо того, чтобы задавать значение
для значений
|
1 |
Оглавление
|