Глава восьмая. ВЫПОЛНЕНИЕ КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

8.1. Основные понятия и определения

Интегральная микросхема (ИС) - микроэлектроиное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и компонентов, изготовленных в едином технологическом цикле.

Элемент ИС - часть интегральной микросхемы, которая реализует функцию какого-либо электрорадиоэлемента и которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие (например, транзистор, диод, резистор, конденсатор).

Компонент ИС - часть интегральной микросхемы, которая реализует функции какого-либо электрорадиоэлемента и которая может быть выделена как самостоятельное изделие.

Полупроводниковая ИС - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.

Пленочная ИС - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Различают тонкопленочные и толстопленочные ИС.

Гибридная ИС - интегральная микросхема, содержащая кроме элементов и компонентов и кристаллы.

Подложка ИС - заготовка, пред назначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИС, межэлементных и межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.

Плата ИС - часть подложки гибридной ИС, на поверхности которой нанесены пленочные элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.

Кристалл ИС - часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.

Контактная площадка ИС - металлизированный участок на плате или на кристалле, служащий для присоединения выводов компонентов и интегральных микросхем, перемычек, а также для контроля ее электрических параметров и режимов.