Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
Рекомбинация донорно-акцепторных пар.Понятие электронно-дырочной пары, так же как и представление об экситоне, строго говоря, выходит за рамки зонной теории, в которой рассматривается движение одного электрона в самосогласованном поле (§ 2). В зонной теории, если электрон переходит с донорного уровня энергии ван-дер-ваальсовского взаимодействия и обозначить расстояние между донором и акцептором
где а — константа ван-дер-ваальсовского взаимодействия. Если Поскольку примесные атомы занимают в решетке вполне определенные места, то величины Для неглубоких доноров и акцепторов тонкая структура в поглощении пар расположена вблизи края собственного поглощения и может быть неразличимой. Однако в излучении эта структура обнаружена и исследована в большом числе работ, изложенных в обзорах [251, 252]. Вероятность оптического перехода донор — акцептор определяется степенью перекрытия волновых функций комбинирующих состояний и должна резко убывать с увеличением расстояния между примесными центрами. Для мелких изолированных водородоподобных примесных центров зависимость вероятности перехода (величины, обратной времени жизни
где Хотя электрон, локализованный на любом донорном уровне, взаимодействует со всеми дырками окружающих его акцепторов, основной вклад в энергию взаимодействия, согласно (9.32), вносит пара донор — ближайший к нему акцептор. На этот ближайший акцептор с наибольшей вероятностью и происходит оптический переход электрона. Поэтому электроннодырочные пары в полупроводниках можно в первом приближении представить как совокупность двухатомных молекул, каждая из которых характеризуется своим набором величины Вследствие зависимости вероятности переходов от Эти закономерности можно проиллюстрировать на простых примерах. Рассмотрим полупроводник
Функции распределения концентраций по
Для стационарного режима возбуждения производные по времени равны нулю, и из (9.35) находим
Решая (9.34) относительно
Так как по условию
Поэтому
При изменении Число фотонов, испускаемых при рекомбинации пар с заданным значением
Для слаболегированного некомпенсированного полупроводника
где в шаровом слое с радиусом
С учетом (9.40) и (9.41) для распределения концентрации доноров по
Вводя обозначение
формулу (9.39) с учетом (9.33), (9.38) и (9.42) преобразуем к виду
Выразим контур линии излучения донорно-акцепторных пар в шкале энергий
где
Учитывая, что
Здесь введено обозначение
Для слабо легированных полупроводников при изменении
С учетом этого неравенства, приравнивая производную от
При малых интенсивностях возбуждения, когда Следовательно, с увеличением интенсивности света максимум полосы излучения донорно-акцепторных пар смещается в сторону больших энергий на величину В процессе затухания в первую очередь высвечиваются пары с малым В результате этого спектр излучения смещается в длинноволновую область. Такая закономерность наблюдалась, например, в послесвечении фосфида индия (рис. 36) [260], в фосфиде галлия и других полупроводниках. Теоретически деформация спектра в процессе затухания исследована в [255, 261].
Рис. 36. Изменение спектра излучения донорно-акцепторных пар в фосфиде индия в процессе затухания [260] при
Рис. 37. Изменение спектра излучения донорно-акцепторных пар в германии В германии спектр излучения донорно-акцепторных пар состоит из бесфононной полосы и фононного повторения, соответствующего испусканию
|
1 |
Оглавление
|