Главная > Газовые лазеры
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

2.2.3. Образование возбужденных состояний на верхнем лазерном уровне непосредственно в процессе диссоциативного прилипания

Известен ряд примеров, когда реакции диссоциативного прилипания приводят к образованию нейтральных фрагментов, находящихся в возбужденном электронном или колебательном состоянии. В принципе такие реакции могут непосредственно заселять верхний лазерный уровень в диссоциативных лазерных системах. Практически известен только один пример, в котором была использована такая реакция. Дегани др. [37] рассмотрели механизм реакции

где — верхнее состояние HgBr-лазера, работающего на переходе Измерения сечения образования ионов показывают, что реакция (7) имеет порог. Эти данные обсуждаются в разд. 2.5.4.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление