Главная > Газовые лазеры
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

2.5.5. Другие газы, представляющие интерес

Здесь мы дадим очень краткую сводку результатов исследований процесса прилипания в некоторых газах. Ссылки мы будем приводить только на те публикации, в которых читатель сможет найти наиболее полезные сведения по рассматриваемой проблеме.

2.5.5.1. Двуокись углерода

Как видно из рис. 12, двуокись углерода является относительно слабым электроотрицательным газом. Максимумы коэффициента прилипания для этого газа имеют место при 4,4, 8,2 и 13 эВ. Первый из них является наиболее важным для лазерной среды. Сечения прилипания измеряли Рапп и Бриглиа [78], Спенсер и Щульц [87], а также Чантри [18].

2.5.5.2. Молекула Сl2

Эта молекула обладает умеренной электроотрицательностью, причем процессы прилипания имеют максимумы сечения при 0; 2,5 и 5,8 эВ. Энергетические зависимости сечения измерены с помощью

масс-спектрометра [91]. Кривая для представленная на рис. 12, получена совместным интегрированием абсолютных сечений, измеренных Курепой и Великом [58], с максвелловской функцией распределения электронов по скоростям. Согласно измерениям, выполненным Рокни и др. [81] методом послесвечения в плоском разряде, с ростом температуры газа от комнатной до константа скорости увеличивается приблизительно на 80% для в эВ и приблизительно на 45% для эВ.

2.5.5.3. Четыреххлористый углерод

Четыреххлористый углерод является сильно электроотрицательным газом. Константу скорости для этой молекулы прилипания измеряли Христодоулидес и Христофору [24] при энергиях от почти тепловых до —0,8 эВ. Эти данные воспроизводятся на рис. 12. Сечения [13, 88] имеют максимумы при 0 и 0,6 эВ, однако эти данные не позволяют получить точные значения в области энергии эВ.

2.5.5.4. Молекулы I2

Кривая появления ионов I-, измеренная масс-спектрометрически Тамом и Вонгом [91], имеет максимумы при 0; 0,9 и 2,4 эВ. Эта кривая использовалась в расчетах зависимости интегрированием с максвелловской функцией распределения электронов по скоростям. Полученная при этом кривая нормировалась при эВ с использованием данных Траби [96], полученных при комнатной температуре и обнаруживающих сильную зависимость от температуры газа.

2.5.5.5. Гексафторид серы (SF6)

Гексафторид серы является сильно электроотрицательным газом и, по-видимому, наиболее изученным из всех остальных газов. На рис. 12 для построения соответствующей кривой использовались сечения прилипания из работы [57]. При очень низких энергиях скорость прилипания определяется главным образом очень острым пиком, лежащим почти при нулевой энергии [2]. Этот пик соответствует образованию с достаточно большим временем жизни, что позволяет измерять сечение этого процесса при низких давлениях или стабилизировать в экспериментах при высоком давлении. Кромптон и др. [29] измерили скорость прилипания при тепловых энергиях, соответствующих комнатной температуре. В этих измерениях, имеющих необычайно высокую точность, скорость прилипания оказалась равной При

энергии электронов порядка нескольких электронвольт в основном образуется ион

Отношение вероятностей образования сильно зависит от температуры газа [21, 22], однако суммарная эффективность прилипания почти не зависит от температуры газа.

Благодарности

Автор признателен Р. Кромптону, А. Хази, Л. Клайну, Р. Митчелу, В. Виганду, С. Вонгу и их сотрудникам за предоставление необходимых данных, еще не опубликованных в печати. Данные для молекулы НСl, приведенные на рис. 10, были любезно предоставлены Д. Дэвисом, работа которого настично субсидировалась Аэродинамической лабораторией США (WPAFB). Измерения, выполненные автором по молекулам частично субсидировались Управлением перспективного планирования научно-исследовательских работ (ARPA) через Центр перспективной техники ПРО (BMDATC) США.

Литература

(см. скан)

(см. скан)

(см. скан)

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление