Пред.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
3.3. Воздействие разрядов электростатических зарядов на корпус ЦТСПусть некоторое тело (например, человек — оператор ЦТС) несет на себе электрический заряд q. Если собственная емкость тела равна С, то его потенциал по отношению к земле равен Рассмотрим случай, когда корпус ЦТС соединен с землей системы вторичного питания более чем в одной точке (рис. 3.6, в). Заряженный конденсатор можно представить
Рис. 3.6. Эквивалентные схемы связей при разряде электростатического заряда на корпус ЦТС, когда корпус гальванически развязан от землн вторичной системы питания (а), соединен с землей в одной точке (б), соединен с землей более чем в одной точке (в): С — паразитная емкость землн вторичного питания относительно корпуса ЦТС; состоящим из незаряженного конденсатора С и источника ЭДС Е. Процессы в такой схеме при замыкании выключателя Т аналогичны процессам, описанным в § 3.1, и характеризуются выражением
при условии, что
где Если Вольт-секундная площадь импульса
Эквивалентная длительность импульса
Для случая, когда корпус соединен с землей системы вторичного питания в одной точке (рис. 3.6, б), анализ произвести труднее, поскольку в соответствующем операторном выражении для напряжения помехи присутствуют полиномы четвертого порядка. Поэтому рассмотрим два варианта, когда Если индуктивность
при условии, что Цепочка
Количественно оценим Постоянная времени Если индуктивность
при условии, что Вольт-секундная площадь импульса
Эквивалентная длительность импульса
Таким образом, если внутреннее активное сопротивление источника помехи велико, длительность и вольт-секундная площадь сигналов помехи, попадающих на входы приемников в ЦТС, тем больше (при прочих равных условиях), чем больше индуктивность корпуса ЦТС и индуктивность нулевых проводников вторичного питания. Число точек присоединения нулевых проводников вторичного питания к корпусу и емкость источника в данном случае не оказывают существенного влияния. Если же внутреннее активное сопротивление источника мало
где Для схемы на рис 3.6, в
Для схемы на рис. 3.6, б
Для схемы на рис. 3.6, а
Вольт-секундная площадь полупериода колебания
Эквивалентная длительность импульса
Количественно оценим значения Из (3.34) и (3.35) и количественной оценки следует, что вольт-секундная площадь импульсов помех и их длительность тем больше, чем больше емкость источника и индуктивности корпуса и нулевых проводников вторичного питания. Если индуктивность корпуса очень мала, то при прочих равных условиях наименьший по площади сигнал будет в случае гальванической развязки нулевых проводников вторичного питания от корпуса ЦТС и наибольший сигнал будет в случае наличия многих точек соединения корпуса и нулевых проводников вторичного питания. Одновременно отметим, что при уменьшении значения внутреннего сопротивления источника длительность импульсов помех в аппаратуре ЦТС растет.
|
1 |
Оглавление
|