5. Шум полевых транзисторов с p-n-переходом и полевых транзисторов с МОП-структурой

5.1. Введение

Источники шума в полевых транзисторах с -переходом и полевых транзисторах с МОП-структурой весьма схожи, за исключением -шума, который почти полностью отсутствует в первых, но доминирует на низких частотах во вторых. Подобное поведение приводит к обоснованному мнению, что -шум в данном случае связан с поверхностными эффектами.

Важнейшим механизмом возникновения шума в полевых транзисторах являются тепловые флуктуации, которые имеют место в популяции носителей в канале транзистора. Подобные флуктуации проводимости приводят к возникновению теплового шума токов стока и затвора. Другим существенным источником шума является генерация носителей в обедненной области канал — затвор; в ПТ с -переходом механизм подобного же типа приводит к появлению дробового шума в токе утечки через затвор. Другие источники шума в ПТ, включая флуктуации в концентрации носителей в канале, связанные с рекомбинационно-генерационными процессами через ХШР-центры, локализованные в канале, или за счет частично ионизованных доноров (канала -типа), или акцепторов (канала как правило, несущественны.