Заметим, что формула (1.7) [как и (1.6)] верна при напряжениях, существенно меньших напряжения лавинообразования, когда коэффициенты умножения 
) равны единице. Более точные формулы, применимые при высоких напряжениях, можно найти в [1.8]. Типичная зависимость тока 
от напряжения показана на рис. 1.9. Его температурную зависимость также часто опйсывают выражением типа 
.
Полупроводниковые структуры современных тиристоров выполняются таким образом, что тиристор переходит из закрытого состояния в открытое, если обратное напряжение, приложенное к коллекторному переходу 
, превысит напряжение переключения полупроводниковой структуры 
и при этом не произойдет лавинного пробоя этого перехода. Иначе говоря, напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода 
тиристора больше, чем напряжение переключения его полупроводниковой структуры.
При достижении приложенного К полупроводниковой структуре напряжения значений, близких к 
, происходит такое расширение области объемного заряда коллекторного перехода 
, смещенного в обратном направлении, что за счет резкого возрастания коэффициента передачи тока 
знаменатель в (1.7) стремится к нулю, a 
лавинообразно нарастает до тех пор, пока переход 
не переключится в прямом направлении, что и означает переключение тиристора в проводящее состояние. На рис. 1.10 приведена типичная зависимость напряжения переключения тиристора от температуры. Резкое уменьшение значения 
в диапазоне 150—160° С вызвано сильной зависимостью от температуры знаменателя (1.7).
Рис. 1.9. Типичная прямая и обратная ВАХ тиристора 
в непроводящем состоянии: 
.
Рис. 1.10. Типичная зависимость напряжения 
от температуры: 
(
125° С)
Физическими причинами этого являются возрастание времени жизни носителей и зависимость коэффициентов передачи тока от времени жизни (подробнее см. в [1.8, 1.9].
Необходимо отметить, что переключение полупроводниковой структуры тиристора в проводящее состояние анодным напряжением при отсутствии или недостаточном уровне управляющего сигнала недопустимо. Это объясняется тем, что в этом случае из-за неизбежной неоднородности полупроводниковой структуры переключение происходит не по всей площади 
перехода и даже не по всей площади начального включения, как при включении по управляющему электроду, а только в отдельных зонах достаточно малого сечения. При этом плотность тока в возникающих токопроводящих каналах может достигать больших значений, так как ток ограничивается только параметрами питающей сети. Локальный перегрев полупроводниковой структуры вызывает стягивание тока в точки повышенного нагрева, что может вызвать необратимый тепловой пробой полупроводниковой структуры или деградацию ее электрофизических параметров и характеристик.
смещаются в прямом направлении, а переход 
— в обратном. Соотношение между уровнями легирования n-базы тиристора и окружающими ее 
-слоями таково, что при приложении высокого напряжения ООЗ распространяется в низкоомную 
-базу. Однако в отличие от обратносмещенного состояния, когда ООЗ примыкала к переходу 
в закрытом состоянии тиристора эта область примыкает к переходу 
. Здесь также будет иметь место транзисторный эффект, в результате чего ток закрытого состояния (без поверхностной компоненты) может быть записан в следующем виде [1.2]:
