Главная > Диоды и тиристоры в преобразовательных установках
НАПИШУ ВСЁ ЧТО ЗАДАЛИ
СЕКРЕТНЫЙ БОТ В ТЕЛЕГЕ
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
232
233
234
235
236
237
238
239
240
241
242
243
244
245
246
247
248
249
250
251
252
253
254
255
256
257
258
259
260
261
262
263
264
265
266
267
268
269
270
271
272
273
274
275
276
277
278
279
280
281
282
283
284
285
286
287
288
289
290
291
292
293
294
295
296
297
298
299
300
301
302
303
304
305
306
307
308
309
310
311
312
313
314
315
316
317
318
319
320
321
322
323
324
325
326
327
328
329
330
331
332
333
334
335
336
337
338
339
340
341
342
343
344
345
346
347
348
349
350
351
352
353
354
355
356
357
358
359
360
361
362
363
364
365
366
367
368
369
370
371
372
373
374
375
376
377
378
379
380
381
382
383
384
385
386
387
388
389
390
391
392
393
394
395
396
397
398
399
400
401
402
403
404
405
406
407
408
409
410
411
412
413
414
415
416
417
418
419
420
421
422
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO

Закрытое состояние тиристора.

При приложении к тиристору напряжения в прямом направлении переходы смещаются в прямом направлении, а переход — в обратном. Соотношение между уровнями легирования n-базы тиристора и окружающими ее -слоями таково, что при приложении высокого напряжения ООЗ распространяется в низкоомную -базу. Однако в отличие от обратносмещенного состояния, когда ООЗ примыкала к переходу в закрытом состоянии тиристора эта область примыкает к переходу . Здесь также будет иметь место транзисторный эффект, в результате чего ток закрытого состояния (без поверхностной компоненты) может быть записан в следующем виде [1.2]:

Заметим, что формула (1.7) [как и (1.6)] верна при напряжениях, существенно меньших напряжения лавинообразования, когда коэффициенты умножения ) равны единице. Более точные формулы, применимые при высоких напряжениях, можно найти в [1.8]. Типичная зависимость тока от напряжения показана на рис. 1.9. Его температурную зависимость также часто опйсывают выражением типа .

Полупроводниковые структуры современных тиристоров выполняются таким образом, что тиристор переходит из закрытого состояния в открытое, если обратное напряжение, приложенное к коллекторному переходу , превысит напряжение переключения полупроводниковой структуры и при этом не произойдет лавинного пробоя этого перехода. Иначе говоря, напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода тиристора больше, чем напряжение переключения его полупроводниковой структуры.

При достижении приложенного К полупроводниковой структуре напряжения значений, близких к , происходит такое расширение области объемного заряда коллекторного перехода , смещенного в обратном направлении, что за счет резкого возрастания коэффициента передачи тока знаменатель в (1.7) стремится к нулю, a лавинообразно нарастает до тех пор, пока переход не переключится в прямом направлении, что и означает переключение тиристора в проводящее состояние. На рис. 1.10 приведена типичная зависимость напряжения переключения тиристора от температуры. Резкое уменьшение значения в диапазоне 150—160° С вызвано сильной зависимостью от температуры знаменателя (1.7).

Рис. 1.9. Типичная прямая и обратная ВАХ тиристора в непроводящем состоянии: .

Рис. 1.10. Типичная зависимость напряжения от температуры: ( 125° С)

Физическими причинами этого являются возрастание времени жизни носителей и зависимость коэффициентов передачи тока от времени жизни (подробнее см. в [1.8, 1.9].

Необходимо отметить, что переключение полупроводниковой структуры тиристора в проводящее состояние анодным напряжением при отсутствии или недостаточном уровне управляющего сигнала недопустимо. Это объясняется тем, что в этом случае из-за неизбежной неоднородности полупроводниковой структуры переключение происходит не по всей площади перехода и даже не по всей площади начального включения, как при включении по управляющему электроду, а только в отдельных зонах достаточно малого сечения. При этом плотность тока в возникающих токопроводящих каналах может достигать больших значений, так как ток ограничивается только параметрами питающей сети. Локальный перегрев полупроводниковой структуры вызывает стягивание тока в точки повышенного нагрева, что может вызвать необратимый тепловой пробой полупроводниковой структуры или деградацию ее электрофизических параметров и характеристик.

1
Оглавление
email@scask.ru