Обратное непроводящее состояние тиристора.

Как отмечалось, при приложении к тиристору напряжения в обратном направлении переходы смещаются в обратном, — в прямом направлении.

Следует иметь в виду, что у современных тиристоров их полупроводниковые структуры выполняются таким образом (концентрация примесей по слоям, глубины залегания и профили переходов и т.п.), что переход обладает достаточно низкой запирающей способностью и при приложении к нему обратного напряжения более нескольких вольт в нем наступает лавинный пробой. Поэтому обратное напряжение, приложенное к полупроводниковой структуре тиристора, можно считать приложенным к одному переходу при этом энергия, выделяемая в зоне перехода , достаточно мала, так как она ограничена малым напряжением лавинообразования и малым током насыщения обратносмещенного перехода .

Однако обратный ток тиристора не будет равен обратному току перехода . Дело в том, что в тиристоре наличие чередующихся слоев р- и n-типа приводит к возникновению транзисторного эффекта. Его суть заключается в следующем. Структуру р-n-р-n тиристора можно представить как комбинацию из двух транзисторов: p-n-p и n-p-n (рис. ). В теории транзисторов показано, что одним из важнейших их параметров является коэффициент передачи тока или . Коэффициент передачи тока показывает, какая часть тока эмиттера доходит до коллекторного перехода транзистора.

Рис. 1.8. Структура и обозначение силового тиристора

Для тиристора транзисторный эффект проявляется в том, что, например, обратный ток тиристора оказывается больше, чем ток обратносмещенного перехода , за счет дополнительных носителей заряда, поставляемых через базу р-n-р транзистора, при этом рост тока численно описывается множителем . Таким образом, обратный ток тиристора [1.2] (без учета поверхностной составляющей)

где и - как и раньше, диффузионная и генерационная компоненты тока обратносмещенного перехода

Типичная зависимость обратного тока тиристора от напряжения приведена на рис. 1.9. Температурную зависимость обратного тока тиристора описывают обычно выражением типа (1.3), хотя сама зависимость от Т в тиристоре будет более сильной, чем в диоде, за счет температурной зависимости множителя .