Главная > Диоды и тиристоры в преобразовательных установках
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

1.4. СИЛОВОЙ ТРИОДНЫЙ ТИРИСТОР, НЕ ПРОВОДЯЩИЙ

В ОБРАТНОМ НАПРАВЛЕНИИ

Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника, с тремя устойчивыми состояниями (открытое, закрытое и обратное непроводящее), имеющий три перехода и три электрических вывода (анодный, катодный и управляющий), называется триодным тиристором (далее — тиристором), не проводящим в обратном направлении. При приложении положительного напряжения к анодному выводу тиристора он может быть переключен из закрытого состояния в открытое отпирающим сигналом по управляющему электроду, а при отрицательном напряжении на анодном выводе не переключается и остается в обратном непроводящем состоянии.

Силовой тиристор представляет собой многослойную полупроводниковую структуру, состоящую из четырех чередующихся слоев полупроводника дырочного p- и электронного n-типов проводимости , образующих три электронно-дырочных перехода: (рис. 1.8, а). Внешние слои полупроводниковой структуры и соответствующие внешние переходы принято называть эмиттерными, а внутренние слои и внутренний переход — коллекторными.

Стороны внешних (эмиттерных) слоев полупроводниковой структуры тиристора , противоположные сторонам, образующим эмиттерные переходы соответственно, соединены с металлическими контактами, образующими два основных контактных вывода тиристора. Вывод, соединенный с -слоем структуры, называется анодным (А) выводом тиристора, вывод, соединенный с n-слоем структуры, — катодным (К) выводом тиристора. Коллекторный слой полупроводниковой структуры тиристора (-слой), называемый иногда базовым слоем, с помощью металлического контакта соединяется с управляющим (G) выводом тиристора.

В зависимости от полярности приложенного к основным выводам тиристора напряжения он может находиться в следующих трех устойчивых состояниях: закрытом (непроводящем) (эмиттерные переходы смещены в прямом направлении, коллекторный переход смещен в обратном), открытом (проводящем) (все три перехода структуры смещены в прямом направлении), обратном непроводящем (эмиттерные переходы смещены в обратном направлении, коллекторный смещен в прямом, при условии, что приложенное напряжение и протекающий ток находятся в допустимых пределах).

Кроме того, тиристор может переходить из одного устойчивого состояния в другое. В соответствии с этим необходимо учитывать следующие динамические состояния тиристоров: переход из закрытого состояния в открытое при превышении приложенным к структуре напряжением значения напряжения переключения (включение по аноду) или при приложении к управляющему электроду отпирающего напряжения (включение по управляющему электроду) и переход из открытого состояния в обратное непроводящее состояние (выключение) при соответствующем изменении полярности напряжения, приложенного к полупроводниковой структуре тиристора. Рассмотрим процессы, происходящие в тиристоре при различной полярности приложенного к нему напряжения.

Categories

1
Оглавление
email@scask.ru