§ 4.2. Схемы с общим эмиттером с термокомпенсацией рабочей точки покоя
На рис. 4.6 показана схема с диодом, включенным в базовую цепь транзистора последовательно в резистором . При изменении температуры напряжение база — эмиттер останется неизменным, так как потенциалы базы и эмиттера будут меняться примерно одинаково.
Рис. 4.6.
Рис. 4.7.
Так как полупроводниковые приборы имеют большой разброс параметров, то для получения эффекта термокомпенсации рабочей точки диод и транзистор следует подбирать. Это и является существенным недостатком схемы рис. 4.6. Для уменьшения используют также кремниевые транзисторы, у которых обратный ток меньше, чем у германиевых.
При проектировании каскадов, являющихся составной частью интегральных микросхем, в качестве термостабилизирующего элемента используется транзистор, выполненный на одном кристалле кремния в едином технологическом цикле с основным транзистором.
В схеме термостабильного каскада, представленной на рис. 4.7, термостабилизирующим элементом является транзистор , а основным — транзистор . Интегральные транзисторы обладают одинаковыми свойствами, т. е. при одинаковых токах покоя имеют одинаковые параметры
Ток базы покоя транзистора , определяющий заданный каскада по постоянному току, равен
Учитывая, что , запишем: