Письмо Любознайкина к Незнайкину

Вот, мой дорогой друг, сведения, которые должны прочно врезаться в твою память:

- Транзистор состоит из трех зон-областей: эмиттера, базы и коллектора. Они содержат примеси, придающие эмиттеру и коллектору электрические свойства, противоположные свойствам базы.

- Существует два типа транзисторов: p-n-p и n-p-n. Больше распространен первый тип, по крайней мере среди транзисторов из германия, (По технологическим соображениям большая часть кремниевых транзисторов делается со структурой n-p-n.)

- В транзисторе p-n-p базе сообщают отрицательный по отношению к эмиттеру потенциал, а коллектору — еще более отрицательный, чем базе.

- В транзисторе n-p-n база должна быть положительной по отношению к эмиттеру, а коллектор еще более положительным, чем база.

- Отмечено, что в обоих случаях приложенные напряжения питают переход эмиттер—база в пропускающем направлении.

- Ток базы имеет очень малую величину (микроамперы); ток коллектора значительно больше (миллиамперы).

- Малое изменение тока базы вызывает сильное изменение тока коллектора. Отношение второго изменения к первому называется коэффициентом усиления по току.

- Вход транзистора (база—эмиттер) имеет относительно небольшое сопротивление. Поэтому подаваемые на вход сигналы должны рассеивать некоторую мощность.

- Выход транзистора (коллектор—змиттер) отличается высоким сопротивлением.

- Изменение напряжения, приложенного между базой и эмиттером, определяет изменение тока базы; а это изменение в свою очередь вызывает большее изменение тока коллектора. Если в цепь коллектора включено сопротивление нагрузки, то на нем можно выделить усиленное напряжение.

Вот в нескольких словах, мой дорогой Незнайкин, выводы, к которым мы пришли.

Твой друг Любознайкин