Две первые характеристики

Л. — А разве это не нормально? Этим ты демонстрируешь сам принцип действия транзистора. Прилагая между базой и эмиттером возрастающее напряжение, ты повышаешь величину тока, идущего от эмиттера к базе, и тем самым увеличиваешь ток, идущий от эмиттера через базу к коллектору.

Н. — Разумеется. Это полностью аналогично влиянию сетки на анодный ток и в вакуумной лампе. Кстати, вот две кривые, которые я снял, регулируя потенциометром напряжение и записывая для каждого его значения величины (рис. 43 и 44).

Рис. 43. Зависимость тока базы от напряжения база—эмиттер . На этом рисунке, как и на всех остальных, где изображены характеристики транзисторов, полярность напряжений базы и коллектора не указана. Потенциалы обоих электродов положительны относительно эмиттера у транзисторов структуры n-p-n и отрицательны у транзисторов структуры p-n-p.

Рис. 44. Зависимость тока коллектора от напряжения база—эмиттер .

Л. — Очень хорошо, Незнайкин. Я вижу, что ты испытываешь транзистор средней мощности, потому что коллекторный ток достигает здесь почтенной величины — порядка полуампера... Твоя первая кривая, где взаимодействуют только два элемента — эмиттер и база и которая характеризует зависимость тока базы от потенциала базы по отношению к эмиттеру, просто-напросто характеристика диода, образованного эмиттером и базой.

Н. — Правда! Ток увеличивается сначала медленно, а затем все быстрее и быстрее. Я вижу, что эта кривая не представляет большого интереса, но, думаю, что другая кривая, отражающая изменение коллекторного тока в зависимости от напряжения базы, имеет большее значение.

Незнайкин знакомится с обманчивой крутизной

Л. — Не увлекайся, мой друг. Вторая кривая действительно очень показательна. Она, в частности, показывает нам, что крутизна транзистора далеко не постоянна и изменяется в зависимости от величины напряжения.

Н. — Как? Разве, имея дело с транзисторами, тоже говорят о крутизне? Для ламп — это отношение небольшого изменения анодного тока к вызвавшему его небольшому изменению сеточного напряжения.

Л. — Да, здесь по аналогии мы также определим крутизну как отношение небольшого изменения к вызвавшему его небольшому изменению напряжения базы . Обозначив крутизну буквой S, получим:

Крутизна у транзисторов, как и у ламп, выражается в миллиамперах не вольт.

Н. — Я действительно заметил, что при повышении напряжения базы крутизна нашего транзистора возрастает. При переходе от 0,2 к 0,4 в ток увеличился всего на , а при повышении напряжения базы от 0,6 до 0,8 в он увеличился примерно на . Следовательно, в первом случае мы имеем крутизну , а во втором случае . Чудовищно! У лампы никогда нельзя получить такой крутизны.

Л. — Однако не делай слишком поспешных выводов о том, что усиление транзистора действительно так велико. Здесь роль крутизны значительно скромнее, так как в конечном итоге решающее значение имеет влияние тока базы на ток коллектора.