Метод чередующихся ядов

Н. — Все же их получится внушительное количество, даже если предположить, что половина материала идет в отходы. Однако как эти чешуйки германия превращают в готовые транзисторы?

Л. — «Отравляя» такую чешуйку с обеих сторон примесью другого типа по сравнению с содержащейся в самой чешуйке.

Рис. 35. Вытягивание монокристалла. Находящийся в тигле полупроводниковый материал поддерживается в расплавленном состоянии с помощью высокочастотного нагрева.

Например, если чешуйка вырезана из монокристалла с примесью типа n, то с обеих сторон в чешуйку вводят примесь типа p с тем, чтобы образовать эмиттер и коллектор транзистора типа p-n-p.

Н. — Уважаемый Любознайкин, у меня есть блестящая идея: почему бы не выпускать «полностью испеченные» транзисторы, вводя обе примеси сразу же при вытягивании кристалла. Например, в начале вытягивания в расплавленную массу полупроводника можно было бы бросить примесь типа p, хотя бы индий. Затем после образования зоны p и выведения ее из расплава в последний можно было бы бросить примеси типа n, например мышьяк, чтобы получить зону с проводимостью типа n. Затем следовало бы добавить индия, чтобы акцепторы стали основными носителями зарядов, что снова дало бы нам зону p, и т. д. В конечном итоге мы получили бы стержень германия с чередующимися зонами типов . Достаточно было бы разрезать его на пластинки с зоной типа n посередине, чтобы получить транзисторы типа p-n-p, и с зоной типа p посередине, если мы захотим получить транзисторы типа n-p-n. Согласись, Любознайкин, что иногда мне приходят гениальные идеи!

Л. — Чем я любуюсь в тебе, так это твоей скромностью... К сожалению, в твоей идее нет ничего нового. Она давно известна и лежит в основе изготовления так называемых выращенных или «тянутых» переходов. Метод этот неэкономичен, так как полученные с его помощью зоны обладают довольно большой толщиной. Кроме того, прибавляя каждый раз примесь то одного типа, то другого, непрерывно повышают содержание примесей в поочередно образуемых зонах, что также не лишено недостатков. Тем не менее метод выращивания переходов применяется еще и в наши дни, особенно при изготовлении транзисторов из кремния.