Сплавные транзисторы

Н. — Я еще раз убеждаюсь, что родился слишком поздно.. Но вернемся к нашим чешуйкам — объясни мне, как на них формируют эмиттер и коллектор.

Л. — Для этого в зависимости от желаемой структуры транзистора применяют различные методы Чаще всего процесс сводится к «отравлению» базы, т. е. введению в нее примесей другого типа, чем содержащиеся в материале базы. Наиболее простой и наиболее часто используемый метод заключается в накладывании на обе стороны пластинки германия типа , служащей базой, маленьких кусочков («навесок») индия и быстром нагревании примерно до 600° С.

Рис. 36. Схематический разрез сплавного транзистора структуры p-n-p.

При этой температуре индий сплавляется с находящимся под ним слоем германия, несмотря на то, что сам германий плавится только при 940° С. При остывании насыщенные индием области сплавления рекристаллизуются и приобретают проводимость типа p. Так получают транзистор структуры p-n-p (рис. 36). Как мы уже говорили раньше, пластинка, образующая коллектор, больше пластинки эмиттера. Это облегчает тепловой режим транзистора (на коллекторе рассеивается большая мощность) и улучшает его усилительные свойства. Операцию сплавления проводят при тщательно подобранных температуре и времени нагрева, добиваясь того, чтобы остающаяся между расплавленными областями часть чешуйки, образующая базу, составляла менее одной двадцатой доли миллиметра. Транзисторы, изготовленные таким способом, называются сплавными; они пригодны для самых различных применений в области низких и умеренно высоких частот (на длинных и средних волнах).

Н. — Ты опять говоришь мне о двух трудностях, с которыми мы сталкиваемся при применении транзисторов: о повышенных значениях мощности и частоты. Я хотел бы получить некоторые разъяснения по этому вопросу.