Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
4.5. Масс-спектрометрия вторичных ионов (SIMS)В процессе распыления поверхностные слои разрушаются, и поэтому измерение относительного содержания продуктов распыления представляет собой прямой метод определения состава разрушенного слоя. Распыленные частицы испускаются в виде нейтральных атомов, находящихся в различных возбужденных состояниях, в виде положительных и отрицательных ионов, заряженных однократно или многократно, и в виде кластеров. Отношение числа ионов к числу нейтральных частиц может изменяться для одного и того же образца на несколько порядков в зависимости от состояния поверхности. Анализ продуктов распыления является самым чувствительным методом исследования поверхности. Обычно он используется при измерениях малых концентраций чужеродных атомов в твердых телах. Наиболее широко распыление применяется с целью последующей регистрации и анализа ионизованных продуктов распыления — вторичных ионов. Как показано на рис. 4.7, вторичные ионы попадают сначала в фильтр, являющийся обычно электростатическим анализатором, а затем собираются в масс-спектрометре. Это дало методу название масс-спектрометрии вторичных ионов (сокращенно SIMS от англ. Secondary Ion Mass Spectrometry). Все приборы SIMS позволяют выполнять поверхностный и объемный анализ концентраций элементов. В одном из режимов работы пучок ионов перемещается по поверхности образца, на которой он создает кратер. Чтобы ионы от стенок кратера не регистрировались, система детектирования снабжается электронными воротами, пропускающими сигналы от ионов из центральной части кратера. Существуют также приборы прямого отображения — ионные микроскопы, в которых вторичные
Рис. 4.7. а — схема установки для масс-спектрометрии вторичных ионов. Пучок ионов, падая на мишень, вызывает распыление мишени, частицы которой проходят через электростатический фильтр энергий, масс-спектрометр и затем регистрируются детектором ионов; б — обычно пучок ионов падает на большую площадь образца, а сигнал регистрируется только от центральной части места падения. Это позволяет исключить эффекты, связанные с краями кратера. 1 — пучок ионов; 2 — пленка; 3 — подложка; 4 — фильтр энергий; 5 — масс-спектрометр; 6 — детектор вторичных ионов; 7 — траектория пучка ионов; 8 — электронные ворота; 9 — поверхность образца; 10 — кратер; 11 — подложка. ионы с определенных микроучастков образца регистрируются таким образом, что в результате на дисплее формируется визуальное изображение состава поверхности. Спектры как положительных, так и отрицательных вторичных ионов имеют сложную структуру, так как создаются не только однократно или многократно заряженными ионами атомов, но и всеми другими ионизованными кластерами. Как показано на рис. 4.8, спектр масс, полученный при бомбардировке Покидая твердое тело, распыленные частицы имеют распределение энергий, соответствующее множеству случайных столкновений, из которых состоит процесс распыления. Полный выход продуктов распыления Y связан
Рис. 4.8. Спектр вторичных ионных кластеров, получаемый при бомбардировке со спектром энергий
где
а полный выход положительных ионов равен
где вероятность ионизации Измеряемый сигнал
где
Рис. 4.9. Выход положительных (сплошная линия) и отрицательных (штриховая линия) ионов при бомбардировке GaAs ионами Аr с энергией 5 кэВ. На спектре видна большая разница в чувствительности метода SIMS к различным ионизованным состояниям при практически идентичных полных выходах распыления Ga и As [18].
Рис. 4.10. Полученный методом SIMS профиль концентрации As, имплантированного в Si с энергией 200 кэВ при общей дозе эффективность прохождения сигнала от измеряемых ионов в установке. Величины Выходы вторичных ионов очень чувствительны к присутствию электроположительных или электроотрицательных ионов на поверхности мишени. Нейтрализация положительного иона, покидающего поверхность, определяется уровнями энергии испускаемых атомов и наличием на поверхности твердого тела электронов, которые могут заполнить свободный уровень. Представляется, что этот процесс наиболее вероятен, когда в твердом теле имеются электроны с энергией связи, в точности равной энергии незанятого уровня. При этих условиях может произойти резонансное туннелирование, нейтрализующее вылетающие атомы (рис. 4.12). Таким образом, вероятность нейтрализации зависит от зонной структуры твердого тела и атомных уровней энергии распыляемых ионов. Для получения большого
Рис. 4.11. Измеренные методом SIMS профили концентраций ионов Н, имплантированных в
Рис. 4.12. Модель электронной структуры иона или атома вблизи поверхности металла. выхода ионизованных частиц желательно уменьшить вероятность нейтрализации. Это можйо осуществить созданием на поверхности образца тонкой окисной пленки, приводящей к образованию большой запрещенной зоны и к уменьшению числа электронов, доступных для нейтрализации. Например, адсорбция кислорода вызывает увеличение выхода вторичных ионов. На рис. 4.13, а изображены выходы вторичных ионов при бомбордировке чистой и покрытой кислородом поверхностей металлов ионами
|
1 |
Оглавление
|