Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
10.4. Электронный микроанализРегистрация и измерение характеристического рентгеновского излучения материалов, возбуждаемого быстрыми электронами, лежат в основе электронного микроанализа. Главной чертой электронного микроанализа (рис. 10.3) является локализация возбуждения в малой области поверхности образца с помощью остро сфокусированного электронного пучка. Возбуждаемый электронами объем образца имеет размер порядка микрометра, поэтому данная методика анализа часто называется электронным
Рис. 10.3. Взаимодействие электронного пучка с твердым телом. Падающие электроны создают вакансии на внутренних оболочках на глубинах в несколько микрометров. 1 — электронный пучок; 2 — обратно рассеянные и вторичные электроны; 3 — рентгеновское излучение сплошного и характеристического спектров; 4 — исследуемый образец. микроанализом ЕМА (от англ. Electron Microprobe Analysis). Электронный пучок можно сканировать по поверхности, получая изображение горизонтального распределения составляющих материала. В материаловедении важны всего несколько линий, это главным образом
Рис. 10.4. Зависимость энергии Е рентгеновских линий (от англ. Energy Dispersive Spectroscopy) с использованием кремний-литиевого детектора, принцип работы которого подобен твердотельному детектору заряженных частиц, описанному в гл. 3. Падающее рентгеновское излучение создает фотоэлектроны, которые в конечном итоге отдают свою энергию на образование электронно-дырочных пар. Число пар пропорционально энергии налетающего фотона. Приложенное электрическое напряжение формирует импульс тока с амплитудой, пропорциональной числу пар или энергии рентгеновского кванта. Такие детекторы дают прямой путь измерения рентгеновского спектра в широком диапазоне энергий с энергетическим разрешением около 150 эВ. Спектр рентгеновского излучения Спектроскопия с дисперсией по длине волны WDS (от англ. Wavelength Dispersive Spectroscopy) основана на дифракции рентгеновского излучения на кристаллическом анализаторе; только то рентгеновское излучение, которое удовлетворяет брэгговскому условию
Рис. 10.5. Рентгеновские спектры маргавца, измеренные с помощью твердотельного детектора
Рис. 10.6. Рентгеновские спектры никелевого сплава, полученные на установках с дисперсией по энергии (а) и дисперсией по длинам волн (б). Первый спектр (а) получен с помощью твердотельного детектора соответствуют рефлексам первого, второго и третьего порядков. На рис. 10.6 показаны спектры анализа состава никелевого сплава на установках с дисперсией по энергии и дисперсией по длине волны. Установка с дисперсией по длине волны имеет энергетическое разрешение На установке с дисперсией по энергии возможно перекрытие откликов от различных элементов, если энергии рентгеновского излучения близки. Линия Регистрация химических сдвигов энергии связи, обнаруживаемых при фотоэмиссии (XPS), в рентгеновском анализе затруднена, так как рентгеновское излучение обусловлено переходом между двумя уровнями, которые смещаются в одном и том же направлении вследствие химических связей. Смещения длин волн в сторону как более длинных, так и более коротких наблюдаются в рентгеновских спектрах с очень высоким разрешением для различных элементов в химических соединениях. В рентгеновской спектроскопии, как и для большинства атомных переходов, энергетическая ширина (ширина линии) связана с временем жизии дырки в электронной оболочке. Это и есть фундаментальная ширина, определяемая происходящими атомными процессами и являющаяся той минимальной энергетической шириной, которая могла бы наблюдаться детектором с высоким разрешением. Из принципа неопределенности следует, что
Для атомных уровней энергии можно положить
Уширение, определяемое временем жизни, может достигать величины 10 эВ для
|
1 |
Оглавление
|