Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше
Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике
Случай является хорошим примером роста эпитаксиальной пленки высокого качества. Эта комбинация материалов удовлетворяет самому важному условию эпитаксии, а именно хорошему соответствию постоянных решетки; в этом случае несовпадение составляет менее 0,2%. На рис. 5.19 сравниваются уменьшения поверхностных пиков подложки для эпитаксии на и для эпитаксии на . В последнем случае имеется небольшое несовпадение постоянных решетки. Заметим, что в обоих случаях происходит незамедлительный спад поверхностного пика из-за нарастания псевдоморфного слоя. Однако в случае рост псевдоморфной пленки прекращается уже через два монослоя. Это полностью согласуется с теорией эпитаксии, в которой рассматривается упругое напряжение в эпитаксиальной пленке, возникающее вследствие расхождения параметров, и последующее образование так называемых дислокаций несоответствия. Расчетная толщина пленки, начиная с которой появляются дислокации, для случая как раз составляет монослоя. В пленке с дислокациями атомы верхних слоев не сопрягаются с подложкой и поэтому не затеняют ее.
Рис. 5.19. Уменьшение интенсивности поверхностного пика подложки как функция толщины -покрытия (в монослоях), а — подложка — Ag (110); эпитаксия и анализ — при 140 К; пробный пучок — ионы с энергией 1,0 МэВ, налетающие вдоль ; б — подложка — ; эпитаксия и анализ — при 300 К; пробный пучок — попы с энергией 1,8 МэВ, налетающие вдоль оси . Сплошной линией представлеиы результаты расчета для псевдоморфного послойного роста с учетом тепловых колебаний .