8. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА РАБОТУ УСИЛИТЕЛЕЙ С ПТ

Рассмотрим влияние внешних условий на ПТ. Радиационная стойкость ПТ в основном зависит от действия облучения на время жизни основных носителей, которое значительно меньше, чем действие на время жизни неосновных носителей. Облучение приводит к уменьшению проводимости канала, т. е. к уменьшению тока стока и крутизны. Полевые транзисторы более стойкие к радиации, чем биполярные. Так, у ПТ с --переходом крутизна заметно снижается при уровнях радиации , а у БП — при [44]. Нейтронное облучение влияет на параметры ПТ из следующим образом. Облучение быстрыми нейтронами с плотностью уменьшает крутизну вольт-амперной

характеристики на Облучение с плотностью уничтожает большинство свободных носителей [1321. Гамма-излучение уровнем от кобальтового источника (кобальт-60) не вызывает никаких изменений вольт-амперной характеристики. Таким образом, воздействие различных видов облучения на ПТ различно и идет по силе воздействия в следующем порядке: протонное, нейтронное, электронное, гамма-излучение.

Значительно влияет на параметры ПТ окружающая температура. Особенно заметно это влияние на величину шумовой температуры транзистора, которая в интервале температур описывается выражением [132]

где — температура окружающей среды; — круговая частота; — емкость затвор — исток; — крутизна; у — постоянный коэффициент, определяемый экспериментально.

На рис. 5.14 показана зависимость температуры шума арсенид-галлиевых транзисторов от температуры окружающей среды. Усиление этих транзисторов уменьшается с возрастанием температуры со скоростью для одного транзистора [130].

Стабильность работы усилителей на ПТ во времени Данные приведены для диапазона при дБ и дБ.

Среднее время наработки на отказ составляет .

Рис. 5.14. Зависимость температуры шума от температуры среды