Главная > Микроэлектронные устройства СВЧ
НАПИШУ ВСЁ ЧТО ЗАДАЛИ
СЕКРЕТНЫЙ БОТ В ТЕЛЕГЕ
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO

Глава 8. ОГРАНИЧИТЕЛИ МОЩНОСТИ

1. ПАРАМЕТРЫ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ

Для защиты входных цепей приемников СВЧ применяют ограничители мощности, которые представляют собой газовые разрядники, ферритовые устройства и устройства на полупроводниковых элементах. Ограничители предназначены для снижения до безопасного уровня мощности, поступившей на вход приемников, в качестве первых каскадов которых используют транзисторные усилители (допустимая средняя мощность около или смесители на диодах (допустимая средняя мощность которых около 300 мВт).

Рассмотрим только полупроводниковые ограничители мощности, так как благодаря малым габаритным размерам они широко применяются в микроэлектронике. Предельная импульсная мощность таких ограничителей составляет Диодный ограничитель имеет два состояния: пропускания — при малой мощности сигнала и запирания — при большой мощности. Переход из одного состояния в другое основывается на нелинейных свойствах полупроводниковых

диодов и осуществляется с помощью внешнего управляющего напряжения, которое образуется за счет пришедшей СВЧ мощности.

Параметры ограничителей делятся на две группы: высокого уровня и низкого уровня мощности. Параметры для высокого уровня мощности: большие потери запирания характеризующие ослабление сигнала при прохождении через ограничитель; малая просачивающаяся мощность на выходе, ограничителя; малое время восстановления Твое, определяющее продолжительность перехода ограничителя от режима запирания в режим пропускания. Параметры для низкого уровня: малые потери пропускания при малой входной мощности; малая величина коэффициента отражения от входа; широкая полоса рабочих частот; порог ограничения который определяется мощностью сигнала на входе, под воздействием которой потери пропускания увеличиваются в два раза по сравнению с потерями пропускания приминимальной мощности.

1
Оглавление
email@scask.ru