14.2. ВЛИЯНИЕ ВНУТРЕННИХ ЕМКОСТЕЙ ТРАНЗИСТОРА И ЕМКОСТЕЙ МОНТАЖА

В каждой схеме есть ряд емкостей, которые с сопротивлениями образуют фильтры нижних частот. Они изображены на рис. 14.2. Основными паразитными емкостями являются: емкость монтажа, особенно емкость подводящих цепей; емкость эмиттер - база; емкость коллектор-база: емкость коллектор-эмиттер.

В схеме имеются два фильтра нижних частот. Конденсаторы с

Рис. 14.2. Емкости транзистора и паразитные емкости монтажа в схеме с общим эмиттером.

Рис. 14.3. Емкости транзистора и паразитные емкости монтажа в схеме с общей базой.

параллельно включенным резистором образуют фильтр нижних частот на выходе транзистора. Они уменьшают динамическое коллекторное сопротивление на высоких частотах и тем самым снижают коэффициент усиления по напряжению. На входе транзистора фильтр нижних частот образуют конденсаторы и резистор Действующая входная емкость схемы равна

где А - коэффициент усиления схемы по напряжению. Такое увеличение емкости перехода коллектор-база называется эффектом Миллера. Он связан с тем, что напряжение на конденсаторе раз превышает входное. При величина емкости оказывается преобладающей, и приближенно можно считать, что

По этой причине схема с общим эмиттером из-за наличия входного фильтра нижних частот имеет относительно малую полосу пропускания.

Характеристики схемы с общей базой оказываются более благоприятными. Как видно из рис. 14.3, в таком режиме транзистора действующая входная емкость равна

Вместо увеличения общей емкости в этом случае фактически происходит даже некоторое ее уменьшение. Однако недостатком схемы является низкое входное сопротивление.