14.2. ВЛИЯНИЕ ВНУТРЕННИХ ЕМКОСТЕЙ ТРАНЗИСТОРА И ЕМКОСТЕЙ МОНТАЖА
В каждой схеме есть ряд емкостей, которые с сопротивлениями образуют фильтры нижних частот. Они изображены на рис. 14.2. Основными паразитными емкостями являются: 
емкость монтажа, особенно емкость подводящих цепей; 
емкость эмиттер - база; 
емкость коллектор-база: 
емкость коллектор-эмиттер.
В схеме имеются два фильтра нижних частот. Конденсаторы 
с
Рис. 14.2. Емкости транзистора и паразитные емкости монтажа в схеме с общим эмиттером.
Рис. 14.3. Емкости транзистора и паразитные емкости монтажа в схеме с общей базой.
параллельно включенным резистором 
образуют фильтр нижних частот на выходе транзистора. Они уменьшают динамическое коллекторное сопротивление на высоких частотах и тем самым снижают коэффициент усиления по напряжению. На входе транзистора фильтр нижних частот образуют конденсаторы 
и резистор 
Действующая входная емкость схемы равна
где А - коэффициент усиления схемы по напряжению. Такое увеличение емкости перехода коллектор-база называется эффектом Миллера. Он связан с тем, что напряжение на конденсаторе 
раз превышает входное. При 
величина емкости 
оказывается преобладающей, и приближенно можно считать, что
По этой причине схема с общим эмиттером из-за наличия входного фильтра нижних частот имеет относительно малую полосу пропускания.
Характеристики схемы с общей базой оказываются более благоприятными. Как видно из рис. 14.3, в таком режиме транзистора действующая входная емкость равна
Вместо увеличения общей емкости в этом случае фактически происходит даже некоторое ее уменьшение. Однако недостатком схемы является низкое входное сопротивление.
