Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике 1-6. МЕТОДЫ ПОСТРОЕНИЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ МОЩНОСТИИзмерительные преобразователи мощности с линейным преобразованием входных сигналов. К ним относятся множительные устройства, в которых входные сигналы
Рис. 1-8 Один из путей построения таких ИПМ состоит в использовании физических явлений, являющихся функцией произведения напряжений или токов. К таким явлениям относятся электродинамический эффект, состоящий в том, что сила взаимодействия между проводниками с током пропорциональна произведению токов в них, и эффект Холла [64], состоящий в том, что э. д. с. Существует и другой путь получения функции произведения, состоящий в использовании пассивных и активных четырехполюсников, на вход которых подается один из сомножителей, при этом коэффициент передачи Основным условием реализации этого пути является обеспечение линейности зависимостей
Рис. 1-9 Отсюда следует, что даже при линейной зависимости
Как правило, ИПМ с АУЧ выполняются в виде широкополосных усилителей с глубокой отрицательной обратной связью по току, текущему через
Несмотря на очевидные преимущества ИПМ с АУЧ, ИПМ, получили более широкое распространение как более простые и надежные. Такое положение было оправданным до тех пор, пока электронные узлы выполнялись на дискретных элементах; использование же интегральных микросхем изменило традиционные взгляды на ИПМ с АУЧ. Доминирующей погрешностью ИПМ с АУЧ является погрешность преобразования осуществляться как в аналоговой, так и в дискретной форме. Для аналогового преобразования чаще всего используется эффект Гаусса, состоящий в изменении сопротивления вещества под действием магнитного поля. Резистор В последние годы в качестве аналоговых преобразователей напряжение — сопротивление широко используются полевые транзисторы [82], которые являются более технологичными и значительно более широкополосными элементами, чем устройства с магниторезисторами. Погрешность лучших образцов ИПМ с магниторезисторами и полевыми транзисторами лежит в пределах 0,1-0,2%. Дискретное преобразование
|
1 |
Оглавление
|