Крутизна характеристики транзистора

Н. — А можно ли узнать, как изменяется ток стока в зависимости от изменений потенциала затвора?

Л. — Я сейчас нарисую очень простую схему, используемую для таких измерений, но сначала покажу тебе условные графические обозначения полевых транзисторов. В зависимости от типа полупроводника символизирующая затвор стрелка направлена в том или другом направлении (рис. 139).

А вот схема для интересующих тебя измерений (рис. 140). Как видишь, приложенный к затвору потенциал можно изменять с помощью потенциометра R, включенного параллельно батарее.

Рис. 139. Условные графические обозначения полевых транзисторов из полупроводника типа n (а) и типа p (б).

Рис. 140. В полевом транзисторе из полупроводника типа и измеряют протекающий по нему ток в зависимости от напряжения , приложенного между затвором и истоком. Это напряжение изменяют с помощью погенциометра Я. Полученная в результате таких измерений кривая похожа на кривую, характеризующую зависимость анодного тока триода от потенциала сетки.

Вольтметр показывает нам напряжение , приложенное между затвором и истоком, а миллиамперметр — ток стока , создаваемого батареей .

По результатам измерений вычерчивают кривую, показывающую изменение , в зависимости от изменения . Обрати внимание, что большую часть этой кривой составляет прямолинейный участок. Кривая позволяет определить крутизну транзистора.

Ты видишь, что, когда напряжение 1/3 изменяется от —2 до — 1 В, ток увеличивается от 1 до . Следовательно, крутизна равна . Это небольшая величина, однако некоторые полевые транзисторы имеют крутизну в несколько десятков миллиампер на вольт.