КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ

1.1. Перечислите подвижные и неподвижные заряды в примесных полупроводниках, укажите их происхождение и зависимость концентрации от температуры.

1.2. Почему при анализе электропроводности металлов не учитывают дырочную составляющую тока?

1.3. Почему вне запирающего слоя перехода слои полупроводника нейтральны? Какими зарядами создается запирающий слой и внутреннее электрическое поле перехода?

1.4. Объясните зависимость ширины запирающего слоя перехода от приложенного напряжения.

1.5, Укажите напряжения, приложенные к переходам транзистора на пологом и крутом участках выходной характеристики рис. 1.7, а.

1.6. Объясните (без формул), почему при постоянном личение тока базы транзистора вызывает увеличение тока коллектора.

1.7, Объясните процессы в транзисторе при .

1.8. Как изменится эмиттерный ток транзистора при увеличении если ток базы поддерживается постоянным?

1.9. Укажите случаи, когда ток стока полевых транзисторов изменяется из-за расширения переходов.

1.10. На основании стоковых характеристик рис. 1.9, г и рис. , в постройте стокозатворные характеристики при .

1.11. Объясните распределение токов в тиристоре. Какую роль в его работе играет зависимость коэффициентов передачи от тока ?

1.12. Почему процесс отпирания тиристора при подаче тока управления Протекает лавинообразно?

1.13. Почему в однооперационном тиристоре уменьшение управляющего тока не приводит к запиранию прибора?

1.14. Назовите преимущества ИМС. Объясните зависимость стоимости ИМС от степени интеграции.

1.15. Сформулируйте отличительные особенности полупроводниковых и гибридных ИМС.

1.16. Объясните принцип действия светоизлучающего диода, фотодиода, фототранзистора и фототиристора. В чем преимущество оптронов перед приборами с электрической связью?