Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
1.4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫУправление током и усиление сигналов в схемах полупроводниковой электроники осуществляют с помощью транзисторов.
Рис. 1.5. Схемные обозначения транзисторов: а — p-n-p-тип; б — n-p-n-тип
Рис. 1.6. Распределение токов (а) и потенциалов (б) в транзисторе p-n-p типа Биполярный транзистор представляет собой кристалл полупроводника, состоящий из трех слоев с чередующейся проводимостью и снабженный тремя выводами (электродами) для подключения к внешней цепи. Поскольку до настоящего времени биполярные транзисторы являются наиболее распространенным видом транзисторов, часто их называют просто транзисторами, опуская термин «биполярный». На рис. 1.5,а и б показано схемное обозначение двух типов транзисторов p-n-p-типа со слоями p, n и p и n-p-n-типа со слоями n, p и n. Крайние слои называют эмиттером (Э) и коллектором (К), между ними находится база (Б). В трехслойной структуре имеются два электронно-дырочных перехода: эмиттерный переход между эмиттером и базой и коллекторный переход между базой и коллектором. В качестве исходного материала транзисторов используют германий или кремний. При изготовлении транзистора обязательно должны быть выполнены два условия: 1) толщина базы (расстояние между эмиттерным и коллекторным переходами) должна быть малой по сравнению с длиной свободного пробега носителей заряда; 2) концентрация примесей (и основных носителей) заряда в эмиттере должна быть значительно больше, чем в базе Рассмотрим принцип действия p-n-p транзистора. Транзистор включают последовательно с сопротивлением нагрузки При отсутствии напряжений Полярность внешних источников В результате приложения к эмиттерному переходу прямого напряжения начинается усиленная диффузия (инжек-ция) дырок из эмиттера в базу. Электронной составляющей диффузионного тока через эмиттерный переход можно пренебречь, так как Поскольку база в транзисторе выполняется тонкой, основная часть дырок, инжектированных эмиттером, достигает коллекторного перехода, не попадая в центры рекомбинации. Эти дырки захватываются полем коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении, так как это поле является ускоряющим для неосновных носителей — дырок в базе Небольшая часть дырок, инжектированных эмиттером, попадает в центры рекомбинации и исчезает, рекомбинируя с электронами. Заряд этих дырок остается в базе, и для восстановления зарядной нейтральности базы из внешней цепи за счет источника Помимо указанных основных составляющих тока транзистора надо учесть возможность перехода неосновных носителей, возникающих в базе и коллекторе в результате генерации носителей, через коллекторный переход, к которому приложено обратное напряжение. Этот малый ток (переход дырок из базы в коллектор и электронов из коллектора в базу) аналогичен обратному току Таким образом, полный коллекторный ток, определяемый движением всех носителей через коллекторный переход,
Из закона Кирхгофа для токов
Выражения (1.2), (1.3) показывают, что токи в транзисторе связаны линейными соотношениями. Преобразуем (1.2) так, чтобы выявить зависимость коллекторного тока от тока базы. Для этого из (1.3) получим
И подставим это значение
Обозначим коэффициент передачи тока базы
Если учесть, что
где Транзистор является трехполюсником, поэтому источник входного сигнала и нагрузка могут быть подключены к нему различным образом. В наиболее распространенном включении по схеме с общим эмиттером (рис. 1.6) источником входного напряжения При включении транзистора по схеме с общей базой Отсутствие усиления по току является недостатком включения с ОБ, из-за которого эта схема применяется в устройствах промышленной электроники весьма редко и в данном курсе не рассматривается. Принцип действия транзистора
|
1 |
Оглавление
|