Главная > Объемные интегральные схемы СВЧ
НАПИШУ ВСЁ ЧТО ЗАДАЛИ
СЕКРЕТНЫЙ БОТ В ТЕЛЕГЕ
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO

2. Многослойная подвешенная СЩЛ.

По сравнению с обычной СЩЛ при той же ширипе щели даиный вариант СЩЛ (рис. 1.11,6) обладает пониженным волновым сопротивлением. Подвешенная СЩЛ на двухслойной диэлектрической подложке, в которой верхний (непосредственно примыкающий к металлу) диэлектрический слой имеет меньшую диэлектрическую проницаемость чем более удаленный слой, может использоваться в миллиметровом диапазоне.

Рис. 1.12. Зависимость длины волны (три верхние кривые) и волнового сопротивления от толщины слоя диэлектрика в подвешенной экранированной СЩЛ: а) с нулевой толщиной проводников (сплошные кривые — расчет по (1.3.10), штриховые — по с конечной толщиной проводников (штриховая кривая — расчет по

Подвешенная СЩЛ имеет преимущества — малую длину волны и большую степень сосредоточения электромагнитных полей внутри диэлектрика, что приводит к уменьшению потерь.

Впервые неэкранированная двухслойная СЩЛ была проанализирована в работах [69, 70]; там же приведены ее дисперсионные характеристики.

Расчет экранированной двухслойной СЩЛ проводится аналогично [55], но при этом формула для суммарной проводимости имеет вид [70]

Для действительных значений имеем

где

Результаты расчета длины волны по формуле (18) и волнового сопротивления по формуле (16) приведены на рис. 1.13, а.

Рис. 1.13. Зависимость длины волны (сплошные линии) и волнового сопротивления (штриховые) от толщины слоя диэлектрика в подвешенной многослойной с удаленным экраном, ; б) с близкорасположенным экраном,

Влияние высоты экрана на основные характеристики СЩЛ показано на рис. 1.13, б. С увеличением частоты все большая часть поля сосредоточивается (концентрируется) в диэлектрическом слое и влияние экрана уменьшается. Это и видно из рис. 1.13, б.

1
Оглавление
email@scask.ru