Главная > Объемные интегральные схемы СВЧ
НАПИШУ ВСЁ ЧТО ЗАДАЛИ
СЕКРЕТНЫЙ БОТ В ТЕЛЕГЕ
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
232
233
234
235
236
237
238
239
240
241
242
243
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO

4. Модификации экранированных КЛ.

Как уже не раз упоминалось, экранированные линии наиболее удобно вписываются в ОИС СВЧ. Поэтому для расширения функциональных свойств КЛ были пзучены различные их модификации, представленные на рис. 1.28.

Среди них практический интерес представляют КЛ с асимметрично расположенными относительно экрана проводниками, параметры которых приведены в [101, 102]. Используя свойства круговой поляризации магнитной волны в КЛ, можно изготавливать евзаимные отрезки регулярных линий путем частичного заполнения слоя диэлектрика ферромагнетиком (рис. 1.28, в-д [103]).

Рис. 1.28. Экранированные коиланарные линии: а) подвешенная, б) с лицевой связью; в) — д) с ферромагнитными структурами

В работах [101—103] приведены примеры реализации СВЧ узлов с комбинированным включением магнитодиэлектрических подложек.

Необходимо отметить копланарные структуры с токонесущими проводниками, расположенными симметрично по разные сторопы подложки [104] (рис. 1.28,б), на основе которых можно проектировать мостовые устройства. Об этом мы подробпо поговорим в гл. 4.

Использование КЛ различных модификаций существенно увеличивает функциональные возможности включения полупроводниковых приборов и устройств согласования в ОИС СВЧ.

1
Оглавление
email@scask.ru