Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
16.2.3. Параметры смесителейАнализ [10, 145, 150, 188, 239, 260] смесительных свойств полупроводниковых диодов на сверхвысоких частотах показывает, что преобразование обусловлено воздействием мощности местного гетеродина на барьер. Все полупроводники имеют один и тот же предел изменения сопротивления, определяемый максимальным значением коэффициента при V в показателе степени уравнения (16.19); этот коэффициент равен
Активную проводимость диода можно разложить в ряд Фурье по частоте гетеродина. Если к этой проводимости прикладывается напряжение с частотой сигнала, можно получить уравнение цепи в значениях токов промежуточной частоты, зеркальной частоты и бесконечного спектра других частот. Поведение смесителя может быть определено через коэффициенты ряда Фурье активной проводимости и полную проводимость цепи переменного тока смесителя на всех частотах. Если высокочастотный источник одинаково согласован со смесителем на частоте сигнала и на зеркальной частоте, смеситель будет широкополосного типа в противоположность узкополосному, когда нагрузка для зеркальной частоты соответствует холостому ходу или короткому замыканию. Обычно используются смесители широкополосного типа. В процессе смешения диод вносит потери преобразования Наименьшие возможные потери, обусловленные барьером, были вычислены Маккоем [144] и показаны на рис. 16.9, а сплошной линией, как функция сигнала гетеродина в произвольных единицах. Сопротивление растекания полупроводника и емкость барьера действуют как паразитные элементы и увеличивают
где
Рис. 16. 9. Потери преобразования и шумовая температура смесителя с точечным контактом: а — вычисленные значения потерь преобразования как функция параметров кристалла; б - экспериментальные значения потерь преобразования и шумовой температуры. (См. [144].) Теоретически и экспериментально было показано [162, 163], что
где мерцания и высокую мощность рассеяния. Минимальная толщина благодаря применению современной технологии составляет приблизительно Таблица 16.1 Свойство полупроводников
Полное последовательное сопротивление
Общие шумовые характеристики смесителя для двух типичных образцов диодов приведены на рис. 16.10. Комбинация этих кривых с коэффициентом шума типичной усилительной лампы промежуточной частоты типа промежуточной частоты в области около
Рис. 16. 10. Общий шум смесителя как функция промежуточной частоты. Кривые нанесены для двух различных значений коэффициента шумов кристалла Особые задачи возникают [212] при конструировании устройств для работы в широкой полосе частот. Уравнение (16.38) показывает, что шумы смесителя можно уменьшить, если работать при низких температурах: на практике возможный предел определяется запретной зоной полупроводника. Эксперименты как GaAs обладает [351, 360] сравнительно высоким уровнем запретной зоны, то он оказывается пригодным для устойчивой работы при высоких температурах. Измерения показывают, что статистические характеристики очень слабо изменяются [237] в диапазоне температур от 77 до 387° К, а хорошая эффективность выпрямления сохраняется [110] до 620° К.
|
1 |
Оглавление
|