Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
17.4. КВАНТОВОМЕХАНИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ (МАЗЕРЫ)17.4.1. Индуцированное излучениеВ работах [180, 478] показано, что энергетические состояния в молекуле, рассмотренные в разд. 7, могут возмущаться или инвертироваться таким образом, что создаются условия для излучения. Поле высокой частоты может тогда получать энергию, и достигается усиление сигнала. Индуцированное излучение играет лишь роль спускового устройства в процессе излучения, и его энергия сама по себе не поглощается, поэтому квантовомеханические усилители или так называемые мазеры работают аналогично усилителям напряжения. Свойства таких усилителей подробно изучены в работах [188, 413, 453, 465, 4, 3, 496, 594, 603]. В газовых мазерах рабочие полосы пропускания очень узки [178,179, 181, 317], а в устройствах на базе твердого тела они значительно шире, поэтому обычно используются последние.
Рис. 17. 13. Заполнение энергетических состояний. Приведена относительная разность заполнения уровней в функции от температуры при различных частотах. Такие широкополосные усилители общего применения [8, 125, 289, 484, 513, 651] основаны на квантованных энергетических состояниях, возникающих вследствие введения в диамагнитный кристалл слабой концентрации парамагнитных ионов. Число таких состояний равно
Относительная разница в заполнении уровней для практических значений частоты и температуры приведена на рис. 17.13. Обычно
Вероятность перехода, происходящего вследствие возбуждения на резонансной частоте, одинакова для направлений вверх и вниз (по шкале энергий) [154, .220] и равна
Если использовать для обозначения скобки Дирака [133], то магнитный дипольный момент определяется квантовомеханическим способом в виде
где
где Для кристаллов, симметричных относительно оси с, матричный элемент спинового оператора можно выразить в виде
где
В этом случае коэффициент, определяющий скорость перехода, равен
где Тепловой контакт между ионами и решеткой осуществляется процессами релаксации и в состоянии теплового равновесия
Если существуют одновременно и процессы релаксации, и процессы возбуждения, то изменение заполнения уровней подчиняется закону
В установившемся режиме
Хотя такие изменения можно создать и оптическими методами [440, 676], обычно пользуются энергией сверхвысокой частоты. На рис. 17.14, а показаны три энергетических состояния, которые могут быть частью схемы из большего числа уровней. Предполагается, что кристалл находится в термическом равновесии и заполнение уровней (изображаемое длиной линии, соответствующей данному уровню) подчиняется уравнению (17.62). Поле сигнала с частотой Кроме того, заполнение уровней 1 и 2 можно инвертировать и другими способами; в этом случае, как показано на рис. 17.14, в, эффективная температура будет отрицательной [1, 350, 355]. Частота поля накачки на рис. 17.14, г соответствует переходу между уровнями 1 и 3, что снова приводит к отрицательной температуре переходов, соответствующих частоте сигнала. В связи с этим мазеры можно классифицировать по тому, сколько уровней использует механизм работы (два или более).
Рис. 17. 14. Видоизменение электронно-спиновой температуры: а — энергетические состояния при тепловом равновесии; б — охлаждение за счет насыщения; в — получение отрицательной температуры путем инверсии; г - получение отрицательной температуры путем насыщения. Если образец помещен в структуру сверхвысокой частоты, то полный коэффициент заполнения можно определить как
где
Мощность излучается, а не поглощается в том случае, если плотность изменяется таким образом, что
Эта добротность положительна в случае поглощения и отрицательна в случае излучения. Подстановка из уравнений (17.63) и (17.64) и введение относительной разности заполнений
В простом случае для переходов между уровнями М и (М — 1) вычисление заполнения уровней сводится к разложению (в ряд) уравнения (7.73)
Если пренебречь небольшим тепловым излучением от стенок структуры сверхвысокой частоты, то единственным источником шумов [348] в мазере должно быть спонтанное излучение на частоте сигнала. Теоретическая шумовая температура при полном насыщении в этом случае определяется величиной
Рис. 17. 15. Измерение шумовой температуры мазера. Шум от разрядной лампы подается на вход мазера через направленный ответвитель. Значение частот сигнала Выходная шумовая температура равна весовой сумме с температурами
При
|
1 |
Оглавление
|