Главная > Справочник по цифровой схемотехнике
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

Генераторы импульсов на полевых транзисторах.

Полевые транзисторы с управляющим -переходом (ПТУП) и МДП-транзисторы и с изолированным затвором и индуцированным или встроенным каналом применяют при построении генераторов импульсов больших длительностей с внешним запуском (одновибраторы, ждущие мультивибраторы) или задающих генераторов низких и инфранизких частот (мультивибраторы, астабильные вибраторы). Это объясняется большим сопротивлением утечки тока в цепи затвора полевых транзисторов и возможностью получения больших постоянных времени времязадающих цепей за счет больших допустимых сопротивлений резисторов при относительно небольших емкостях конденсаторов. Уменьшение емкостей конденсаторов позволяет улучшить конструктивные и стоимостные показатели схем. Рассмотрим наиболее характерные схемы на полевых транзисторах.

Схема расширителя импульсэв на МДПТ с индуцированным каналом -типа [94] покачана на рис. 8.15. К расширителям этносят моностабильные регенеративные устройства, обеспечивающие при входном импульсе длительностью формирование выходного прямоугольного импульса, длительность где — приращение, являющееся параметром расширителя.

Расширитель рис. 8.15,а построен на основе -триггера (транзисторы ) и времязадающей цепи R, С коммутируемой ключей на транзисторе . Для управления состояниями -триггера используют транзистор , управляемый внешним сигналом, и , управляемый напряжением на конденсаторе С. В исходном состоянии входным напряжением транзисторы заперты, конденсатор С заряжен до напряжения и транзистор высоким потенциалом поддерживается открытым (в триодном режиме).

Рис. 8.15.

На стоке открытого транзистора действует низкий потенциал, благодаря чему транзистор заперт. На общем стоке запертых транзисторов потенциал близок к напряжению питания , поэтому транзистор открыт.

Входной импульс положительной полярности, удовлетворяющий условию , в момент , открывая транзистор VT1, переключает состояние триггера и вызывает разряд конденсатора С через открывшийся транзистор . Транзисторы открываются, транзисторы — закрываются, а конденсатор С разряжается. Это состояние расширитель сохраняет до окончания входного импульса. По заднему фронту входного импульса (момент рис. ) транзистор запирается и конденсатор С начинает заряжаться от источника питания через резистор R. Напряжение на конденсаторе С и затворе транзистора нарастает по экспоненциальному закону с постоянной времени . В момент — начинается обратное опрокидывание триггера и схема возвращается в исходное состояние. Приращение длительности выходного импульса

где — напряжение сток—исток МДП-транзистора в тргюдном режиме.

В качестве накопительного конденсатора С можно использовать эквивалентную емкость, состоящую из межэлектродных емкостей транзисторов . Длительность входного импульса должна быть достаточной для полного разряда конденсатора С через открытый транзистор . На практике вместо схемы на транзисторах можно использовать -триггер на МДПТ.

При построении одновибраторов, предназначенных для генерирования импульсов большой длительности (порядка миллисекунд и секунд), времязадающая -цепочка должна иметь соответственно большую постояннмо времени. В этом случае целесообразно использовать в качестве активных компонентов МДП-транзисторы, в цепи затвора которых для задания режима работы включают резисторы с сопротивлением в раз большим, чем в биполярных транзисторах.

Рис. 8.16.

При этом конденсатор времязадающей цепи имеет емкость соответственно в раз меньше, что улучшает массогабаритные параметры схемы и одновременно позволяет уменьшить время восстановления одновибратора.

В схеме на МДПТ с индуцированным каналом (рис. 8.16,а) собственно одновибратор построен на транзисторах со стокозатворными связями, а транзистор используется для запуска схемы внешним импульсом. В исходном состоянии транзистор открыт потенциалом на затворе. Потенциал тока , поэтому транзистор заперт. Поскольку также заперт , на общем стоке транзисторов имеется высокий потенциал и п. Конденсатор С времязадающей цепи разряжен, так как потенциалы на его электродах .

Входной импульс положительной полярности, удовлетворяющий условию . в момент (рис. ) открывает транзистор и потенциал его стока скачком падает до Отрицательный скачок потенциала на стоках через конденсатор С передается на затвор транзистора и запирает его. На стоке и затворе потенциал скачком увеличивается до и транзистор переключается в триодный режим. Схема переключилась в квазиустойчивов состояние, для которого характерен заряд конденсатора С черев резистор R и транзистор VT2.

Через открытый транзистор конденсатор С оказывается включенным между затвором и истоком транзистора . По мере заряда конденсатора напряжение затвор—исток экспоненциально с постоянной времени нарастает от стремясь асимптотически к . В момент потенциал затвора достигает уровня и транзистор открывается. Благодаря положительной обратной связи развивается регенеративный процесс обратного опрокидывания, в результате которого транзистор переключается в триодный режим, — в режим отсечки. На этапе восстановления одновибратора конденсатор С разряжается через резисторы R и с постоянной времени Ток разряда обусловливает скол вершины выходного сигнала и выброс напряжения на затворе транзистора .

Рис. 8.17.

Для ускорения процесса восстановления резистор R шунтируют диодом .

Длительность выходного импульса

(8.15)

Длительность восстановления одновибратора (без Шунтирующего диода)

при подключении диода

Сопротивление резистора R в данной схеме выбирают в диапазоне Ом, а емкость С определяют по формуле (8.15).

Существенным достоинством рассмотренной схемы является отсутствие дополнительного источника запирающего смещения, недостатком — зависимость длительности выходного импульса от температуры: с ростом температуры уменьшаются пороговое напряжение транзисторов и длительность выходного импульса .

Инфранизкочастотный генератор прямоугольных импульсов на ПТУП (рис. 8.17,а) представляет собой два инвертирующих ключевых каскада, включенных последовательно. Схема самовозбуждается при подключении питающего напряжения .

Она имеет два квазиустойчивых состояния, определяемые режимами работы ПТУП, транзистор заперт в то время, как другой открыт, и управляющий -переход смещен в прямом направлении. Пусть мультивибратор находится в квазиустойчивом сбстоянни, в котором транзистор VT1, открыт, заперт. При этом происходит быстрый заряд конденсатора через резистор и открытый -переход транзистора с постоянной времени . Одновременно конденсатор разряжается через резистор и канал открытого транзистора . Постоянная времени разряда определяет длителнность полупериода, который заканчивается в момент, когда потенциал на правой обкладке конденсатора и затворе транзистора возрастает до уровня порогового напряжения отпирается.

Рис. 8.18.

Под действием положительной обратной связи мультивибратор переключается в другое квазиустойчнвое состояние закрыт, открыт), в котором конденсатор быстро заряжается медленно разряжается .

Длительности полупериодов можно определить по временным диаграммам (рис. 8.17, б):

Для обеспечения работоспособности такого мультивибратора при выборе типа ПТУП и напряжения источника питания необходимо выполнить условие

Categories

1
Оглавление
email@scask.ru