Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
§ 3. РАБОЧИЕ ВЕЩЕСТВА С БОЛЬШОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ АКТИВНЫХ ИОНОВ (примесные и стехиометрические материалы)В первых твердотельных лазерах (рубиновых, на неодимовом стекле и др.) концентрация активных центров в рабочем веществе была относительно невелика. В рубине концентрация ионов хрома составляла Дальнейшее увеличение концентрации приводит к нестабильности решетки В последние годы возрос интерес к аморфным лазерным материалам с очень высокой концентрацией активных ионов [19—21]. В группе Воронько и Батыгова в Физическом институте им. П. Н. Лебедева АН СССР синтезированы фосфатные стекла типа поперечного сечения а с помощью известного выражения
где Длительность флюоресценции
Три основные полосы накачки (поглощения) фосфатных стекол характеризуются следующими значениями коэффициентов поглощения:
В группе Лемпицкого синтезированы новые фосфатно-алюмини-евые стекла с примесью ионов неодима в количестве В рассмотренных выше (нерубиновых) твердотельных лазерах активные ионы используются в виде примеси в количестве от 1 до 3% по отношению к материалу матрицы (стекло, кристалл, жидкость и т. Значительно более интересные результаты получил в том же году Варсани [231. Он запустил твердотельный лазер на беспримесном кристалле
Рис. 6.6. Схема действия твердотельного лазера на беспримесном кристалле кварцевой капсуле для предохранения от влаги и загрязнений. Их размеры составляли
Рис. 6.7. Структура энергетических уровней иона празеодима в кристаллической решетке
Рис. 6.8. Структура энергетических уровней иона Nd3+ в кристалле лазера на чистом кристалле ультрафосфата неодима Ультрафосфат неодима является, пожалуй, наиболее типичным представителем класса стехиометрических материалов. Его кристаллографические параметры были известны уже в 1889 г. [26], однако лишь в 1970 г. этот кристалл был заново «открыт» для лазерных целей. Кристаллы Таблица 6.5 (см. скан) Физические, оптические и кристаллографические параметры кристаллов плоскости роста настолько совершенны, что кристалл можно сразу помещать в резонатор лазера. Особенности выращивания неодимовых и неодим-лантановых кристаллов описаны, в частности, в работах Данилмейера и др. [27], Тофилда и др. 128] и Шиманьского и др. [29]. Основные физические, оптические и кристаллографические параметры кристаллов
Рис. 6.9. Фрагмент ленточной структуры кристаллической решетки а именно: Время жизни лазерного уровня Гашение возбуждения флюоресцентного уровня происходит преимущественно в результате многофотонных безызлучательных переходов. Кристаллическая структура Применяемые для накачки кристаллов полосы поглощения показаны на рис. 6.10. Лазерную генерацию в стехиометрических материалах, как правило, получают при накачке соответствующим образом подобранным лазерным пучком, частота которого находится в полосе поглощения материала. При этом наблюдается сверхизлучение (без оптического резонатора) или нормальная генерация обычно в очень небольших оптических резонаторах.
Рис. 6.10. Полосы поглощения кристалла Усиление света на один цикл (полный пробег света в резонаторе) приближенно равно
где а — эффективное поперечное сечение испускания, Пороговое условие возбуждения колебаний имеет вид
где
где При импульсной накачке имеем
где
становится очень малым. Указанный параметр определяет плотность мощности вынужденного испускания, при которой в данном материале интенсивность флюоресценции равна интенсивности лазерного излучения. Для
где Р — мощность излучения в резонаторе лазера. В работе [30] измерено значение Типичная схема лазера на стехиометрическом материале показана на рис. 6.11 [29]. Наличие множества полос поглощения у кристаллов
Рис. 6.11. Типичная схема экспериментального стехиометрического лазера [25] достигнутых в этом направлении, сообщили в 1977 г. Чин и Цвикер [351. При энергии накачки 1 Дж выходная энергии составляла Вскоре к группе ультрафосфатов редкоземельных элементов добавился ультрафосфат неодима-лития Рис. 6.12. (см. скан) Структура энергетических уровней ионов выращены стехиометрические кристаллы типа Шиманьский, Карольчак и Качмарек [39] вырастили кристаллы ультрафосфата празеодима типа Недавно Лемпицкий, Мак-Коллум и Чин [40] получили новое стехиометрическое соединение Подводя итог достижениям в области стехиометрических лазеров, следует подчеркнуть такие их свойства: 1. Возможность лазерной генерации не только в инфракрасной (1,05 мкм), но и в видимой области спектра. 2. Возможность накачки лазерными пучками, импульсными лампами и светодиодами. 3. Очень высокий коэффициент усиления света; длительность флюоресценции лазерного уровня лишь немного меньше, чем у примесных материалов. Создание лазеров на чистых кристаллах — не просто интересное достижение; оно прежде всего свидетельствует о том, что взаимное влияние активных ионов даже при столь высоких концентрациях не «гасит» флюоресценции. Удивительно, что время затухания флюоресценции сокращается лишь до Это означает, что направленность излучения достигается без оптического резонатора (т. е. без обратной связи). Если излучение накачки имеет форму узкого канала, перпендикулярного плоскости спайности кристалла Известно несколько работ [43—45], авторы которых получили лазерную генерацию в кристаллах Чинн и Хонг [46] и Оцука и др. [47] сообщили об открытии нового чистого лазерного кристалла. Им является литиево-неодимовый четырехфосфат Высокая концентрация активных ионов открывает совершенно новые возможности создания лазеров с микронными размерами, поскольку вынужденное испускание достигается из областей, размеры которых составляют несколько микрометров. Это позволяет снизить энергию накачки до нескольких микроджоулей. ЛИТЕРАТУРА(см. скан)
|
1 |
Оглавление
|