Предисловие редактора перевода
Предлагаемая вашему вниманию книга представляет из себя типичное западное руководство по проектированию аналоговых измерительных устройств. По своим "потребительским качествам" она близка к классической книге У.Титце, К.Шенка "Полупроводниковая схемотехника" ("Мир", 1983), однако круг рассматриваемых в ней вопросов значительно уже, и практически полностью отсутствует материал по основам схемотехники и принципам работы базовых узлов приводимых схем (биполярных и полевых транзисторов, операционных усилителей, различных стандартных транзисторных конфигураций и т.п.). Книга рассчитана на квалифицированного инженера, или, во всяком случае, на человека, собирающегося стать таковым — студента или молодого специалиста. Такой подход, однако, таит в себе опасность для начинающих — возможность "умереть" от опечатки, поскольку работа по готовым схемам и формулам без каких либо промежуточных выкладок и с минимумом теоретических обоснований может в нестандартной ситуации привести вас к полной неудаче. В процессе подготовки книги мы постарались учесть это обстоятельство и устранить некоторые имевшиеся в ней ошибки и несообразности. Тем не менее, мы настоятельно советуем неподготовленным читателям в дополнение к этой безусловно полезной и интересной книге воспользоваться и более "учебными" изданиями для лучшего понимания того, что же происходит в конструируемых вами устройствах. Несомненным достоинством приводимых авторами схем и методов является то, что они, в основном, не "привязаны" к конкретным типам микросхем, транзисторов и т.п., аналогов которых, увы, отечественная промышленность не выпускает. Это оставляет разработчику шанс повторить понравившую схему на имеющейся элементной базе. По этой же причине мы отказались от традиционной в подобных изданиях таблицы аналогов, а привели в конце книги лишь основные параметры тех отечественных микросхем, которые, по нашему мнению, могут быть использованы в рассматриваемых в книге устройствах. Что касается транзисторов и диодов, возможные их замены указываются непосредственно в тексте.
Несколько слов об условных обозначениях параметров. Практически все они традиционны для отечественной литературы, исключение составляют лишь единицы, например:
— напряжение база-эмиттер транзистора,
— ток коллектора транзистора,
— дифференциальное сопротивление эмиттера,
— коэффициент передачи тока транзистора,
— напряжение на диоде и некоторые другие.
Однако мы надеемся, что у читателя не возникнет проблем с обозначениями параметров, поскольку практически везде они даются с соответствующими комментариями и пояснениями.
А. Молодяну