Контакт двух полупроводников p- и n-типов.

Рассмотрим переход между двумя областями полупроводника, имеющими различный тип электропроводности. Концентрации основных носителей заряда в этих областях могут быть равны или существенно различаться.

Электронно-дырочный переход, у которого ррхпп, называют симметричным. Если концентрации основных носителей заряда в областях различны или и отличаются в 100—1000 раз, то такие -переходы называют несимметричными. Несимметричные распространены шире, чем симметричные, поэтому в дальнейшем будем рассматривать только их.

В зависимости от характера распределения примесей, обеспечивающих требуемый тип электропроводности в областях, различают два типа переходов: резкий (ступенчатый) и плавный. В резком переходе концентрации примесей на границе раздела областей изменяются на расстоянии, соизмеримом с диффузионной длиной; в плавном — на расстоянии, значительно большем диффузионной длины.

Резкость границы играет существенную роль, так как в плавном -переходе трудно получить те вентильные свойства, которые необходимы для работы диодов и транзисторов.