Если
и генератор напряжения
не учитывать, то для схем с ОБ и с ОЭ (см. рис.
параметры равны:
В (2.54) учтено, что сопротивление базы у реальных транзисторов порядка сотен Ом. Значения сопротивления
находятся в пределах долей — десятков
Аналогичный вид имеют статические значения
- параметров, определенные с помощью эквивалентной схемы для постоянного тока. Однако наиболее часто представляют интерес только значения
:
Они равны интегральным коэффициентам передачи эмиттерного и базового токов.
В технических условиях на транзисторы задают не коэффициенты
, а равные им в первом приближении параметры
. В дальнейшем при анализе цепей с биполярными транзисторами будем использовать параметры транзистора, выраженные через коэффициенты четырехполюсника. Коэффициенты
будем привлекать лишь для объяснения физических особенностей работы различных полупроводниковых приборов.
Основные параметры биполярных транзисторов и их ориентировочные значения:
1) коэффициенты передачи эмиттерного и базового тока (дифференциальные коэффициенты передачи, которые в первом приближении считают равными интегральным)
2) дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
(
— Ом — десятки Ом);
3) обратный ток коллекторного перехода при заданном обратном напряжении
несколько нА — десятки
4) объемное сопротивление базы
(десятки — сотни Ом); коэффициент внутренней обратной связи по напряжению
5) выходная проводимость
или дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
— доли — сотни
6) максимально допустимый ток коллектора
(сотни
- десятки А);
7) напряжение насыщения коллектор эмитгер
(десятые доли — один вольт);
8) наибольшая мощность рассеяния коллектором
— десятки
9) емкость коллекторного перехода
— десятки
10) тепловое сопротивление между коллектором транзистора и корпусом
, где А Т—перепад температур между коллекторным переходом и корпусом;
11) предельная частота коэффициента передачи тока
или
, на которой коэффициент передачи тока
уменьшается до 0,7 своего статического значения:
(задаются или
или
сотни МГц; иногда вместо предельной задают граничную частоту коэффициента передачи в схеме с ОЭ
или
, когда
12) максимальная частота генерации
— это наибольшая
, при которой транзистор может работать в схеме автогенератора. Ориентировочно можно считать, что на этой частоте коэффициент усиления транзистора по мощности равен единице.
Обозначения биполярных транзисторов состоят из шести или семи элементов. Первый элемент — буква, указывающая исходный материал: Г — германий, К — кремний, А — арсенид галлия. Для транзисторов специального назначения первый элемент — цифра: 1 — кремний, 3 — арсенид галлия. Второй элемент — буква Т. Третий элемент — число, присваиваемое в зависимости от назначения транзистора (см. табл. 2.1). Четвертый, пятый и шестой элементы — цифра, означающая порядковый номер разработки. Шестой (седьмой) элемент — буква, указывающая разновидность типа из данной группы приборов, например:
и т. д.