Импульсные диоды.

Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов и предназначены для работы в импульсных цепях. От выпрямительных диодов они отличаются малыми емкостями -перехода (доли пикофарад) и рядом параметров, определяющих переходные характеристики диода. Уменьшение емкостей достигается за счет уменьшения площади -перехода, поэтому допустимые мощности рассеяния у них невелики .

Основные параметры импульсных диодов

1. Общая емкость диода (доли -несколько ).

2. Максимальное импульсное прямое напряжение .

3. Максимально допустимый импульсный ток .

4. Время установления прямого напряжения диода густ — интервал времени от момента подачи импульса прямого тока на диод до достижения заданного значения прямого напряжения на нем — зависит от скорости движения внутрь базы инжектированных через переход неосновных носителей заряда, в результате которого наблюдается уменьшение ее сопротивления (доли не — доли ).

5. Время восстановления обратного сопротивления диода — интервал времени, прошедший с момента прохождения тока через нуль (после изменения полярности приложенного напряжения) до момента, когда обратный ток достигнет заданного малого значения (порядка , где - ток при прямом напряжении; — доли нс — доли мкс).

Наличие времени восстановления обусловлено зарядом, накопленным в базе диода при инжекции. Для запирания диода этот заряд должен быть «ликвидирован». Это происходит за счет рекомбинаций и обратного перехода неосновных носителей заряда в эмиттер. Последнее приводит к увеличению обратного тока. После изменения полярности напряжения в течение некоторого времени , обратный ток меняется мало (рис. 2.13, а, б) и ограничен только внешним сопротивлением цепи. При этом заряд неосновных носителей, накопленных при инжекции в базе диода (концентрация ), рассасывается (пунктирные линии на рис. 2.13, в).

Рис. 2.13. Изменение тока через диод (а) при подключении обратного напряжения (б) и изменение концентрации неосновных носителей заряда в базе импульсного диода (в); условное обозначение диода с барьером Шотки (г); эквивалентная схема диода (д): сопротивление -перехода; — емкость -перехода; - омическое сопротивление тела базы и эмиттера; С — межэлсктродная емкость выводов

По истечении времени концентрация неосновных носителей заряда на границе перехода равна равновесной, но в глубине базы еще имеется неравновесный заряд. С этого момента обратный ток диода уменьшается до своего статического значения. Изменение его прекратится в момент полного рассасывания заряда, накопленного в базе.

В быстродействующих импульсных цепях широко используют диоды Шотки, в которых переход выполнен на основе контакта металл — полупроводник. У этих диодов не затрачивается время на накопление и рассасывание зарядов в базе, их быстродействие зависит только от скорости процесса перезарядки барьерной емкости. Вольт-амперная характеристика диодов Шотки напоминает характеристику диодов на основе -переходов. Отличие состоит в том, что прямая ветвь в пределах 8—10 декад приложенного напряжения представляет почти идеальную экспоненциальную кривую, а обратные токи малы (доли—десятки нА). Конструктивно диоды Шотки выполняют в виде пластины низкоомного кремния, на которую нанесена высокоомная эпитаксиальная пленка с электропроводностью того же типа. На поверхность пленки вакуумным напылением нанесен слой металла.

Диоды Шотки применяют также в выпрямителях больших токов и в логарифмирующих устройствах.

Условное обозначение диода Шотки и эквивалентная схема диода приведены на рис. 2.13, г. д.