Диоды других типов.

Кроме рассмотренных диодов некоторое распространение получили стабисторы . туннельные и сверхвысокочастотные диоды, среди которых различают сверхвысокочастотные детекторные, параметрические, переключательные и ограничительные, умножительные и настроечные,

Стабисторы, как и стабилитроны, предназначены для стабилизации напряжения. Однако в отличие от последних в них используется специальная форма прямой ветви вольт-амперной характеристики. Поэтому стабисторы работают при прямом напряжении и позволяют стабилизировать малые напряжения (0,35 -1,9 В). По основным параметрам они близки к стабилитронам, но включаются в цепь стабилизации в прямом направлении.

Туннельные диоды это полупроводниковые приборы, на вольт-амперной характеристике которых имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (участок 1 — 2 на рис. 2.17, а). Наличие его является следствием проявления туннельного эффекта. В зависимости от функционального назначения туннельные диоды условно подразделяют на усилительные и др.), генераторные , переключательные (). Область их применения в настоящее время ограничена из-за большей эффективности, даваемой другими полупроводниковыми компонентами. Обращенные диоды представляют собой разновидность туннельных и характеризуются тем, что вместо участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением у них на вольт-амперной характеристике имеется практически горизонтальный участок (рис. 2.17, в). В этих диодах прямую ветвь характеристики можно считать обратной. Обращенный диод имеет значительно меньшее прямое напряжение, чем у обычных диодов, и может быть применен для выпрямления малых напряжений. Значения обратного напряжения также малы.

Рис. 2.17. Вольт-амперная характеристика туннельного диода (в) и его условное обозначение (6): вольт-амперная характеристика обращенного диода (в) и его условное обозначение (г)

Диоды, предназначенные для генерирования шумов, составляют отдельную группу полупроводниковых приборов - так называемых генераторов шума. например типа . По виду вольт-амперных характеристик и схеме включения они практически не отличаются от стабилитронов. Режим их работы выбирается так, чтобы обратный ток (ток пробоя) был меньше При малых токах параметры напряжения пробоя нестабильны, в результате чего возникают его колебания, происходящие случайным образом (генерируется напряжение шумов).

Спектр их достаточно широкий (до 3,5 МГц), а спектральная плотность напряжения генераторов шума лежит в пределах , причем при изменении обратного тока спектральная плотность меняется в два раза и более.

Сверхвысокочастотные диоды подразделяют на смесительные и др.), детекторные и др.), параметрические , переключательные и ограничительные , умножительные и настроечные , генераторные . Это специальные типы диодов, предназначенные для работы в сантиметровом диапазоне волн, которые характеризуются параметрами, важными для работы в этом диапазоне частот.

Магнигодиоды представляют собой полупроводниковые приборы, вольт-амперная характеристика которых существенно зависит от значения индукции магнитного поля и расположения его вектора относительности плоскости -перехода. При практическом применении магнитодиод обычно включают в прямом направлении и используют зависимость его сопротивления от магнитной индукции. Так, например, у магнитодиодов при падение напряжения на диоде составляет 10 В. а при - около 32 В. Эта группа диодов используется в качестве датчиков магнитного поля.

Диоды Ганна основаны на использовании одноименного физического явления генерации высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике. Это следствие того, что у некоторых полупроводниковых материалов на вольт-амперной характеристике имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, аналогичный характеристике, приведенной на рис. 2.17, а. При создании в таком материале электрического поля определенной напряженности возникают колебания электрического поля. Частота их определяется параметрами самого диода, а не параметрами внешней резонансной системы, как это имеет место, например, в генераторах, выполненных на туннельных диодах.

Обозначения полупроводниковых диодов состоят из шести элементов. Первый элемент — буква, указывающая, на основе какого полупроводникового материала выполнен диод. Германий или его соединения обозначают буквой Г, кремний и его соединения — К, соединения галлия — А. В приборах специального назначения буквы заменяются соответствующими цифрами: германий — 1, кремний — 2, соединения галлия — 3. Второй элемент — буква, обозначающая подклассы диода: выпрямительные, импульсные, универсальные — Д, варикапы — В, туннельные и обращенные диоды — И, стабилитроны — С, сверхвысокочастотные — А. Третий элемент — цифра, определяющая назначение диода (от 101 до 399 — выпрямительные; от 401 до 499 — универсальные; от 501 до 599 — импульсные). У стабилитронов эта цифра определяет мощность рассеяния. Четвертый и пятый элементы — цифры, определяющие порядковый номер разработки (у стабилитронов эти цифры показывают номинальное напряжение стабилизации). Шестой элемент — буква, показывающая деление технологического типа на параметрические группы (приборы одного типа по значениям параметров подразделяются на группы). У стабилитронов буквы от А до Я определяют последовательность разработки, например: и т. д.