Переходы p-i, n-i-, p+-p-, n+-n-типов.

Кроме p-n-переходов встречаются и другие типы переходов. Это связано с наличием в некоторых полупроводниках областей, концентрации носителей заряда в которых существенно различны.

Можно, например, получить полупроводник, в одной области которого электропроводность собственная , а в другой — примесная ( или ). Переход между этими двумя областями носит название или . Если в одном из слоев концентрация основных носителей заряда намного выше , чем в другой области с однотипной электропроводностью, то возникают или --переходы. При контакте собственного и примесного полупроводников из-за разности концентраций носителей заряда возникает дырок в собственный полупроводник -типа и электронов в полупроводник -типа. Появляется разность потенциалов, образованная областью с нескомпенсированными отрицательно заряженными ионами акцепторных примесей и дырками, в полупроводнике с собственной электропроводностью. Однако эта разность потенциалов значительно меньше, чем в , и слой, обедненный носителями заряда, простирается большей частью в область собственного полупроводника.

Наличие высокоомной области в полупроводнике с собственной относительно малой электропроводностью приводит к тому, что на переходе падает только часть приложенного напряжения и вентильные свойства у выражены значительно слабее, чем у -перехода. При приложении к нему обратного напряжения обратный ток оказывается больше, чем в . При прямом смещении прямой ток меньше, чем в , и меньше зависит от приложенного напряжения.

На основе создают полупроводниковые приборы, допускающие подключение высоких обратных напряжений. В обычном подключение высокого напряжения может создать в нем настолько высокую напряженность электрического поля, что наступит электрический пробой последнего. Если и -области разделить высокоомным слоем с собственной электропроводностью, то напряженность поля в переходе снизится при том же значении потенциального барьера. Такой будет иметь как бы ступенчатое изменение контактной разности потенциалов и концентрации примесей.

При контакте двух полупроводников с электропроводностью одного типа, имеющих разную концентрацию примесей, высота потенциального барьера ниже, чем в , так как разность в положениях уровней Ферми меньше, чем . Эти переходы кмеют некоторую асимметрию электропроводности, но практически не обладают вентильными свойствами. Соответственно в них отсутствует инжекция неосновных носителей заряда в высокоомную область.