1.5. Конструкция магнитооптических модуляторов
1.5.1. Создание структур магнитооптической пленки
Пространственный модулятор состоит из матрицы отдельных, переключающих свет ячеек. В магнитооптических модуляторах, в частности, переключение достигается путем обращения направления намагниченности магнитных доменов в устойчивой структуре доменов. Однако, как указано в общих чертах в разд. 1.3, устойчивая структура доменов не может быть создана в однородных магнитооптических пленках вследствие высокой подвижности магнитной доменной стенки. Следовательно, пленка должна состоять из отдельных островков магнитооптического материала, разделенных между собой канавками. Пример структурированной пленки показан на рис. 1.2. Каждый островок является основой переключающей ячейки.
Из соображений, изложенных в разд. 1.3, вытекает, что магнитооптический материал должен быть составлен таким образом, чтобы поле анизотропии 
превышало намагниченность насыщения 
и разность 
была бы много больше поля насыщения 
Тогда намагниченность в каждой ячейке останется в устойчивом и насыщенном состоянии (как только она насыщена), т. е. каждый островок будет сохранять устойчивый магнитный домен даже тогда, когда приложено внешнее поле противоположного направления, имеющее амплитуду до 
(см. рис. 1.9). При этих условиях в магнитооптических модуляторах создается устойчивая структура доменов.
Для переключения намагниченности в отдельной ячейке, описываемой до сих пор, следует прикладывать локальные магнитные поля, превышающие 
Так как поле анизотропии пленки с добавками висмута является очень большим (см., например, рис. 1.16), локальное переключение становится достаточно трудным, особенно если при использовании интегральной технологии переключающее магнитное поле надо подвести с помощью металлического тонкопленочного проводника.
Для реализации переключения при более низких переключающих полях были разработаны две различные методики, причем и в той, и в другой поле анизотропии локально уменьшено в пределах каждой ячейки. Это достигается путем локального нагрева ячейки в первой методике и локальной ионной имплантацией во второй.
