2.5. Современное состояние работ по оптическим бистабильным устройствам

Оптическая бистабильность наблюдалась во многих полупроводниках, таких как GaAs [8, 9] (бистабильность на свободных экситонах), (квантоворазмерные структуры) [2, 8—10], CuCl [12, 13] (биэкситонная бистабильность), CdS [11] (бистабильность на связанных экситонах), InSb [14,

15] (бистабильность на заполнении зоны), InAs [16] (бистабильность на заполнении зоны), [17] (бистабильность на заполнении зоны), [18-20] (тепловая бистабильность). В следующем разделе сделан обзор рабочих характеристик бистабильных устройств и логических вентилей на квантоворазмерных структурах из GaAs и AlGaAs. С характеристиками других полупроводников можно ознакомиться в монографии [1] или обзорах [10, 21]. Оптическая бистабильность при комнатной температуре наблюдалась как в объемных структурах на GaAs, так и на GaAs-квантоворазмерных структурах (рис. 2.3) [8]. В работе [9] сообщается о снижении потерь мощности на переключение до 5 мВт при комнатной температуре. В качестве источника света для переключений при комнатных температурах в структурах с резонатором Фабри — Перо с промежуточным слоем квантоворазмерной структуры с толщиной слоев GaAs в 5,3 нм, AlGaAs в 5,6 нм использовался полупроводниковый лазер (рис. 2.4) [22].