1.3.3 Оптические характеристики
Разработано большое количество экспериментальных методов определения оптических постоянных
тонких пленок. Их критический анализ проведен Чопра [59]. Чаще всего применяется метод раздельного определения
по измеренным значениям коэффициентов отражения и пропускания одной и той же пленки. При достаточно большой толщине пленки многократных отражений света не происходит, и коэффициент пропускания
пленки, имеющей комплексный показатель преломления
и толщину
равен [59]
Здесь
— показатель преломления подложки; предполагается, что внешней средой является воздух. Значение
можно найти из графика зависимости
от
по положению точки ее пересечения с одной из осей координат или по ее наклону. Если не учитывать интерференцию и многократное отражение света, то связь между коэффициентами пропускания
и отражения
выражается соотношением
Если же отражение света на границе раздела пленка — подложка принимается во внимание, то
при
Поскольку коэффициент поглощения а равен наиболее удобный способ определения а основан на измерении величин
для одной и той же пленки.
При использовании спектрофотометра значения а могут быть найдены при различных длинах волн. Исходя из спектральной зависимости а, можно установить характер оптических переходов (прямые или непрямые) и определить оптическую ширину запрещенной зоны
Определение плазменной частоты по результатам измерений коэффициента отражения сильно вырожденных полупроводниковых пленок позволяет найти значения либо концентрации носителей
либо эффективной массы
при условии, что одна из этих величин известна [60]. Измерения спектрального положения экстремумов
вырожденных полупроводников, в частности
могут быть положены в основу метода определения состава пленок, как это было предложено Раджкананом [61], получившим семейство зависимостей
от
для пленок сульфида меди различного состава. Состав пленки определяется однозначно по положению главных минимумов