7.10 Направления дальнейших исследований
Фотоэлектрические характеристики тонкопленочных солнечных элементов, рассмотренных в данной главе, суммированы в табл. 7.1.
Для получения достаточно высокого КПД у тонкопленочных солнечных элементов на основе 
потребуются новые разработки и исследования приборов, связанные с оптимизацией конструкции, совершенствованием технологического процесса (с целью создания высококачественных пленок с воспроизводимыми оптоэлектронными свойствами), анализом причин потерь энергии и устранением или ослаблением влияния факторов, вызывающих потери излучения и носителей заряда.
Что касается солнечных элементов на основе органических материалов, то необходимо изучить влияние на их характеристики состава и концентрации красителей, определить механизмы протекания тока, а также испытать различные типы конструкций для того, чтобы оценить возможность получения элементов с приемлемым КПД. В настоящее время эти элементы представляют лишь исследовательский интерес.
Используя тонкопленочные солнечные элементы со структурами 
уже сейчас можно создавать модули, сравнимые по выходным параметрам с тонкопленочными солнечными батареями на основе кремния или 
Дальнейшее совершенствование процесса изготовления элементов на основе 
обеспечит получение элементов большой площади с воспроизводимыми характеристиками при высоком выходе годной продукции. В производстве солнечных элементов на основе многокомпонентных соединений, таких, как 
следует более широко использовать метод пульверизации с последующим пиролизом. Необходимо проведение ускоренных ресурсных испытаний, результаты которых позволят прогнозировать стабильность элементов
на длительный период. Для тонкопленочных солнечных элементов должны быть разработаны защитные материалы и методы герметизации.
Наряду с уже изученными и исследуемыми в настоящее время фотоэлектрическими материалами существует много экзотических соединений, которые можно использовать для создания эффективных солнечных элементов. Суажит [66] разделил их на группы в соответствии с шириной запрещенной зоны и энергией сродства к электрону. Среди этих материалов можно отметить следующие (в скобках указаны значения ширины запрещенной зоны в 
