Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
2.3.5 Реакция замещенияПленки сульфида меди можно получать с помощью поверхностной ионообменной реакции, или, иначе, реакции замещения, которая условно записывается в виде
где символом X обозначен атом галогена Реакция обычно проводится в водном растворе в интервале температур от 90 до Типичный раствор для окунания, применяемый в нашей лаборатории для изготовления солнечных элементов на основе
Кинетика реакции замещения изучалась несколькими авторами, причем наиболее детально исследовался процесс получения
Рис. 2.20. Влияние различных параметров на процесс осаждения пленок Скорость роста пленки зависит от вида галогена и повышается при замене атомов Поскольку реакция происходит в приповерхностной области» слой На рис. 2.20 в графической форме показано влияние различных параметров реакции на процесс роста пленок Несмотря на то что мокрый метод, или метод окунания, широко применяется в производстве солнечных элементов, он имеет несколько недостатков, к которым относятся: 1) необходимость использования толстого При проведении реакции замещения в твердой фазе указанные проблемы отсутствуют. Для осуществления этого процесса [138, 139], называемого часто сухим, на поверхность слоя Ее толщина выбирается с учетом необходимой толщины слоя
|
1 |
Оглавление
|