Главная > Тонкопленочные солнечные элементы
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

2.3.5 Реакция замещения

Пленки сульфида меди можно получать с помощью поверхностной ионообменной реакции, или, иначе, реакции замещения, которая условно записывается в виде

где символом X обозначен атом галогена или I), а символом атом элемента VI группы или ). Этот процесс, называемый также упрощенно окунанием или мокрым химическим процессом, связан с замещением иона двумя ионами Реакции замещения используются для выращивания пленок [133]. Продукт реакции удаляется промывкой в воде или метаноле.

Реакция обычно проводится в водном растворе в интервале температур от 90 до Для повышения растворимости в раствор добавляют такие соли, как или Применяемые в качестве восстановителя гидразин или гидроксиламин предотвращают окисление ионов Реакцию проводят в инертной атмосфере, при этом над ванной создают защитный слой или Некоторые авторы [134] для восстановления ионов меди помещают в ванну медные опилки. Сообщалось также [135] об использовании органического раствора вместо водного.

Типичный раствор для окунания, применяемый в нашей лаборатории для изготовления солнечных элементов на основе имеет следующий состав:

Кинетика реакции замещения изучалась несколькими авторами, причем наиболее детально исследовался процесс получения Значительное влияние на скорость реакции оказывает количество ионов меди в растворе, которое в свою очередь зависит от концентрации соли, концентрации значения рН и от микроструктуры поверхности, на которой происходит реакция. Толщина образующегося слоя возрастает с увеличением продолжительности окунания при условии, что прочие параметры процесса не изменяются. Реакция протекает с большой скоростью, и при получении слоя толщиной продолжительность окунания обычно составляет от 5 до 10 с.

Рис. 2.20. Влияние различных параметров на процесс осаждения пленок получаемых посредством окунания [137].

Скорость роста пленки зависит от вида галогена и повышается при замене атомов на атомы и I в соответствии с последовательностью [136].

Поскольку реакция происходит в приповерхностной области» слой имеет такую же микроструктуру, как и исходный слой Сульфид меди может существовать в виде нескольких фаз с различным составом. Состав получаемого слоя зависит от скорости реакции и степени окисления ионов меди в растворе. Электрические и оптические свойства сульфида меди определяются главным образом его составом.

На рис. 2.20 в графической форме показано влияние различных параметров реакции на процесс роста пленок получаемых посредством окунания [137].

Несмотря на то что мокрый метод, или метод окунания, широко применяется в производстве солнечных элементов, он имеет несколько недостатков, к которым относятся: 1) необходимость использования толстого исходного слоя для предотвращения шунтирования элемента вследствие высокой скорости диффузии подвижных ионов в областях слоя имеющих несовершенную структуру, к которым относятся, в частности, границы зерен; 2) неоднородность свойств слоя из-за резкого прерывания реакции при достижении необходимой толщины слоя; 3) наличие в слое после окончания реакции градиентов концентрации отсутствие возможности регулировать состав слоя

При проведении реакции замещения в твердой фазе указанные проблемы отсутствуют. Для осуществления этого процесса [138, 139], называемого часто сухим, на поверхность слоя методом вакуумного испарения осаждают тонкую пленку

Ее толщина выбирается с учетом необходимой толщины слоя При нагреве пленок, образующих систему между пленками происходит реакция в твердой фазе. и др. [139] сообщали о получении пленок стехиометрического состава со структурой вюртцита или сфалерита, воспроизводящей структуру слоя при температуре реакции в интервале Данный процесс происходит преимущественно в поверхностном слое, и толщина с высокой точностью регулируется изменением толщины слоя Поскольку в основе реакции, протекающей в твердой фазе, лежит диффузионный процесс [140] и ее можно проводить до получения полностью однородного состава [116], в образующемся слое сульфида меди градиенты концентраций отсутствуют. Однако для образования слоя стехиометрического состава перед проведением реакции все виды ионов меди, присутствующие в необходимо восстановить до нейтрального состояния. Испарение через прокладку из медной «шерсти» способствует восстановлению ионов меди. При другом способе проведения реакции в твердой фазе на поверхность в первую очередь наносят тонкий слой а затем испаряют пленку

Categories

1
Оглавление
email@scask.ru