Глава 7. НОВЫЕ ТИПЫ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

7.1 Введение

Помимо поликристаллического и аморфного кремния, а также сульфидов меди и кадмия, уже применяемых для изготовления тонкопленочных солнечных элементов, существует несколько других полупроводниковых материалов, таких как на основе которых могут быть созданы высокоэффективные тонкопленочные фотоэлектрические преобразователи. Арсенид галлия и теллурид кадмия привлекли внимание исследователей еще в 60-е годы, однако из-за отсутствия уверенности в возможности получения этих материалов в необходимом количестве их изучением занимались лишь в нескольких лабораториях. В последнее время наблюдается возобновление интереса к солнечным элементам на основе Исследования других тонкопленочных материалов начаты относительно недавно, и, как, например, в случае уже после создания монокристаллических солнечных элементов с гетеропереходом (в сочетании с сульфидом кадмия образующим оптическое окно) достигнуты КПД соответственно 15 и 12,5%. Фосфид цинка привлекает внимание как материал, в состав которого входят широко распространенные в природе химические элементы. Этой причиной обусловлен интерес и к органическим полупроводникам, имеющим к тому же очень низкую стоимость. Высокоэффективные тонкопленочные солнечные элементы получены на основе лишь двух из перечйсленных соединений — причем наибольшими КПД, равными соответственно обладают элементы с гетеропереходами, в состав которых входит сульфид кадмия, образующий оптическое окно. Определенные успехи достигнуты и при создании элементов на основе других материалов, однако они не столь существенны.

Свойства тонких пленок рассмотрены в гл. 3. В данной главе речь пойдет о фотоэлектрических характеристиках тонкопленочных солнечных элементов на основе этих материалов.