2.2.2.1 Эпитаксиальное осаждение методом «горячих стенок»

При использовании этого метода [8] пары, получаемые с помощью одного или двух кольцевых испарителей, переносятся в объеме, ограниченном нагретой цилиндрической оболочкой, которая имеет более высокую температуру, чем подложка. В результате на подложку осаждается гомогенизированная многокомпонентная смесь паров, находящаяся в равновесном состоянии. Этот метод применяется для получения высококачественных эпитаксиальных пленок ряда соединений элементов IV—VI и групп периодической системы.