Главная > Тонкопленочные солнечные элементы
НАПИШУ ВСЁ ЧТО ЗАДАЛИ
СЕКРЕТНЫЙ БОТ В ТЕЛЕГЕ
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO

2.2.2.3 Графоэпитаксия

Пленки, осаждаемые из паровой фазы на аморфные подложки, обычно имеют поликристаллическую структуру. При соответствующих условиях осаждения могут быть получены частично текстурированные пленки, т. е. пленки с предпочтительной ориентацией зерен. Недавно Смитом и др. [11, 12] было установлено, что при создании на аморфных подложках (в данном случае из ) поверхностного рельефа в виде регулярно расположенных штрихов с определенным периодом и профилем в осажденных текстурированных пленках (рассматривались пленки которые повторяют рельеф подложки, в результате рекристаллизации под действием лазерного излучения зерна приобретают преимущественную ориентацию. При этом направление выделенной оси текстуры совпадает с направлением штрихов. Согласно результатам, полученным исследовательской группой лаборатории им. Линкольна, расстояние между штрихами не должно быть больше характерного размера зерен осаждаемой пленки. При создании методом фотолитографии на подложке из покрытой слоем хрома, микрорельефа с периодом 3,8 мкм и профилем квадратной формы у пленок кремния толщиной 500 нм, получаемых методом химического осаждения из паровой фазы, кристаллографическая плоскость (100) параллельна подложке, а направления параллельны направлению штрихов. Для создания пленки с плоскостью текстуры (111) потребовалась бы подложка со сложным для игзотовления рельефом пилообразной формы. Метод графоэпитаксии пока представляет лишь академический интерес, и вопрос о направлениях его практического применения остается открытым, тем не менее он привлекает внимание возможностью получения для солнечных элементов кристаллических пленок большой площади путем осаждения паров кремния на аморфные подложки из углерода и других электропроводящих материалов с поверхностным рельефом, создаваемым методом рентгеновской литографии.

1
Оглавление
email@scask.ru